[发明专利]气化系统和存储有气化系统用程序的存储介质有效
申请号: | 201811240824.0 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109750275B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 田口明広;姜山亮一 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气化 系统 存储 程序 介质 | ||
本发明提供气化系统和存储有气化系统用程序的存储介质,不使用压力传感器就能适当控制液体材料的供给。气化系统(100)包括:气化器(21),使液体材料气化;供给量控制设备(22),控制向气化器(21)供给的液体材料的供给量;流量调整阀(32),调整气化器(21)生成的气化气体的流量;流量传感器,测定气化气体的流量;阀控制部(43),向流量调整阀(32)输出驱动信号来控制阀开度,以使由流量传感器测定的测定流量成为预先设定的设定流量。还包括:驱动信号值取得部(44),取得作为驱动信号所表示的值的驱动信号值;供给控制部(45),基于驱动信号值向供给量控制设备(22)输出控制信号,控制液体材料的供给。
技术领域
本发明涉及使液体材料气化的气化系统和存储有用于气化系统的气化系统用程序的存储介质。
背景技术
以往,作为生成例如用于成膜工序等半导体制造工序的气体的装置,如专利文献1所示,采用使液体材料气化的气化系统。
这种气化系统包括一种如下的气化系统:在由气化器生成的气化气体的流道上设置压力传感器,监视气化器内的压力。由此,在气化器内的压力伴随气化器内的液体材料的减少而下降并低于阈值时,通过向气化器供给液体材料来防止气化器内的液体材料枯竭,或者在气化器内的压力气伴随向气化器供给液体材料而上升并高于阈值时,停止供给液体材料来防止液体材料从气化器溢出。
但是,在气化气体的流道上设置有压力传感器时,需要使压力传感器能够耐高温,由于这种压力传感器价格高且大型,所以妨碍了低成本化和紧凑化。
此外,例如在进行压力传感器的零点修正等校正时,存在需要清空气化器而导致维护性变差的问题。
专利文献1:日本专利公开公报特开2016-211021号
发明内容
本发明是为了一举解决上述问题点而完成的,本发明的主要课题在于不使用压力传感器就能够适当地控制液体材料的供给。
即,本发明的气化系统包括:气化器,使液体材料气化;供给量控制设备,对朝向所述气化器供给的液体材料的供给量进行控制;流量调整阀,调整由所述气化器生成的气化气体的流量;流量传感器,测定所述气化气体的流量;阀控制部,向所述流量调整阀输出驱动信号来控制阀开度,以使由所述流量传感器测定的测定流量成为预先设定的设定流量,所述气化系统的特征在于,还包括:驱动信号值取得部,取得驱动信号值,所述驱动信号值是从所述阀控制部向所述流量调整阀输出的所述驱动信号所表示的值,并表示对所述流量调整阀的施加电压或施加电流;以及供给控制部,基于由所述驱动信号值取得部取得的表示对所述流量调整阀的施加电压或施加电流的所述驱动信号值向所述供给量控制设备输出控制信号,控制所述液体材料的供给。
在此,对气化器内的压力与驱动信号值之间的关系进行说明。
如果气化器内的压力伴随气化器内的液体材料的减少而下降,则流入流量调整阀的气化气体的压力下降,所以为了使测定流量成为设定流量,需要使阀开度变大。因此,如果气化器内的压力下降,则阀控制部例如针对常开型流量调整阀,使施加电压或施加电流等驱动信号值变小而使阀开度变大,并且针对常闭型流量调整阀,使施加电压或施加电流等驱动信号值变大而使阀开度变大。
另一方面,如果气化器内的压力伴随向气化器供给液体材料而上升,则流入流量调整阀的气化气体的压力上升,所以为了使测定流量成为设定流量,需要使阀开度变小。因此,如果气化器内的压力上升,则阀控制部例如针对常开型流量调整阀,使施加电压或施加电流等驱动信号值变大而使阀开度变小,并且针对常闭型流量调整阀,使施加电压或施加电流等驱动信号值变小而使阀开度变小。
即,在流量调整阀是常开型的情况下,如果驱动信号值变小,则表示气化器内的液体材料减少且气化器内的压力下降,如果驱动信号值变大,则表示气化器内的液体材料增加且气化器内的压力上升。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社堀场STEC,未经株式会社堀场STEC许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811240824.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的