[发明专利]显示面板及制作方法有效
| 申请号: | 201811196756.2 | 申请日: | 2018-10-15 | 
| 公开(公告)号: | CN109545998B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 | 
| 发明(设计)人: | 郭天福;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 | 
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
位于所述阵列基板上的像素定义层,包括第一开口;
位于所述阵列基板上的发光器件层,包括设置于所述第一开口内的显示单元;
位于所述发光器件层上的封装层,包括至少两封装单元,相邻两所述封装单元之间设置有隔挡墙,所述隔挡墙形成于所述发光器件层中的阴极层上;
相邻两所述隔挡墙之间包括至少一无机层和至少一有机层,且相邻两所述隔挡墙之间对应至少一所述显示单元;
所述封装单元至少包括第一无机层、第一有机层及第二无机层,所述第一有机层位于所述第一无机层和所述第二无机层之间;
其中,所述封装层还包括位于所述隔挡墙与所述第二无机层之间的第三无机层,所述第三无机层位于所述隔挡墙上,以及所述第二无机层包括至少两个呈阵列分布的第二无机层单元、及分离所述第二无机层单元的横纵交错的凹槽,所述凹槽在所述隔挡墙上的正投影位于所述隔挡墙内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔挡墙在所述像素定义层上的正投影,位于相邻两所述第一开口之间的所述像素定义层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括位于所述发光器件层上的第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层、及位于所述第一有机层上的第二无机层;
相邻两所述隔挡墙之间包括所述第一无机层及所述第一有机层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第三无机层与所述第一无机层在同一道工艺中形成;
所述隔挡墙与所述第三无机层的厚度不大于所述第一无机层与所述第一有机层的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔挡墙为倒梯形、倒三角形中一种。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述隔挡墙与所述发光器件层之间的第一保护层。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层还包括形成于所述隔挡墙表面的第二保护层;
所述第二保护层包括无机膜层或金属薄膜中的一种。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上形成像素定义层,
所述像素定义层包括第一开口;
在所述阵列基板上形成发光器件层,
所述发光器件层包括设置于所述第一开口内的显示单元;
在所述发光器件层上形成封装层,
所述封装层包括至少两封装单元,相邻两所述封装单元之间设置有隔挡墙,相邻两所述隔挡墙之间包括至少一无机层和至少一有机层,且相邻两所述隔挡墙之间对应至少一所述显示单元;
其中,在所述发光器件层上形成封装层的步骤包括:
在所述发光器件层上形成至少两所述隔挡墙,
所述隔挡墙在所述像素定义层上的正投影,位于相邻两所述第一开口之间的所述像素定义层上;
在所述隔挡墙及所述发光器件层上沉积一无机膜层,以形成第一无机层和第三无机层,
所述第一无机层位于相邻两所述隔挡墙之间的所述发光器件层上,所述第三无机层位于所述隔挡墙上;
在相邻两所述隔挡墙之间形成第一有机层;
在所述第一有机层及所述第三无机层上形成第二无机层,
所述第二无机层包括至少两个呈阵列分布的第二无机层单元、及分离所述第二无机层单元的横纵交错的凹槽,所述凹槽在所述隔挡墙上的正投影位于所述隔挡墙内。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述隔挡墙与所述第三无机层的厚度不大于所述第一无机层与所述第一有机层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811196756.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及显示装置
- 下一篇:初始显示装置和柔性显示面板的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





