[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元；联接到存储器单元的位线和字线；以及页缓冲器，其被配置为对存储器单元执行读操作，其中，当在读操作期间一个读电压被施加到字线时，页缓冲器通过执行第一评估操作、第一感测操作、第二评估操作和第二感测操作来将存储器单元的编程状态感测为至少三个编程状态中的一个。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及其操作方法。具体地讲，涉及一种能够改进读操作的速度的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体实现的存储装置。半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

当电源被切断时，易失性存储器装置丢失所存储的数据。易失性存储器的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。即使当电源被切断时，非易失性存储器装置也保持所存储的数据。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存通常被分类为NOR型闪存和NAND型闪存。

发明内容

实施方式提供了一种能够改进读操作和编程验证操作的速度的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。

根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元；联接到存储器单元的位线和字线；以及页缓冲器，其被配置为对存储器单元执行读操作，其中，当在读操作期间一个读电压被施加到字线时，页缓冲器通过执行第一评估操作、第一感测操作、第二评估操作和第二感测操作来将存储器单元的编程状态感测为至少三个编程状态中的一个。

根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对联接到存储器单元的位线进行预充电，并将第一读电压施加至联接到存储器单元的字线；通过根据位线的电位电平控制页缓冲器中的感测节点的电位电平来执行预评估操作，其中，响应于具有第一电位电平的第一感测信号而评估位线和公共节点的电位，并且响应于具有第二电位电平的第二感测信号而评估公共节点和感测节点的电位；通过感测与感测节点的电位电平对应的第一数据来执行第一感测操作；通过维持施加到字线的第一读电压，并且根据位线的电位电平控制感测节点的电位电平来执行后评估操作，其中，响应于具有第一电位电平的第一感测信号而评估位线和公共节点的电位，并且响应于具有第三电位电平的第二感测信号而评估公共节点和感测节点的电位；以及通过感测与感测节点的电位电平对应的第二数据来执行第二感测操作。

根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对联接到存储器单元的位线进行预充电，并将主验证电压施加到联接到存储器单元的字线；通过根据位线的电位电平控制页缓冲器中的感测节点的电位电平来执行预评估操作，其中，响应于具有第一电位电平的第一感测信号而评估位线和公共节点的电位，并且响应于具有第二电位电平的第二感测信号而评估公共节点和感测节点的电位；通过执行第一感测操作来根据感测节点的电位电平执行预验证操作；通过维持施加到字线的主验证电压，并且根据位线的电位电平控制感测节点的电位电平来执行后评估操作，其中，响应于具有第一电位电平的第一感测信号而评估位线和公共节点的电位，并且响应于具有第三电位电平的第二感测信号而评估公共节点和感测节点的电位；以及通过执行第二感测操作来根据感测节点的电位电平执行主验证操作。

附图说明

现在将参照附图在下文中更充分地描述各种实施方式；然而，其可按照不同的形式来具体实现，不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员充分传达示例实施方式的范围。需要注意的是，对“实施方式”的引用未必意指仅一个实施方式，对“实施方式”的不同引用未必是相同的(多个)实施方式。