[发明专利]一种GaN基材料的凹槽制备方法

权利要求书

1.一种GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于制备步骤为：1）在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；2）再刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；3）然后将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，完成GaN基材料的凹槽制备；所述氮化镓基材料自下而上包括：外延衬底、GaN缓冲层、牺牲层、势垒层、GaN盖帽层；所述氮化镓基材料表面指GaN盖帽层；所述非凹槽区域被刻蚀深度部分至少包括牺牲层、势垒层、GaN盖帽层；制备完成的凹槽的结构自下而上包括外延衬底、GaN缓冲层。

2.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述外延衬底选择硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底中任意一种。

3.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述GaN缓冲层包括高阻GaN层和GaN沟道层，其中高阻GaN层采用碳掺杂GaN层或铁掺杂GaN层。

4.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述牺牲层厚度为1-5nm。

5.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述势垒层选择AlGaN、InAlN、InGaN中任意一种。

6.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述GaN盖帽层厚度为2-5nm。

7.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述光刻胶采用AZ5214材质；所述光刻采用接触式光刻方式。

8.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述刻蚀非凹槽区域的方法采用ICP刻蚀，或者采用RIE刻蚀。

9.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述刻蚀非凹槽区域的深度大于牺牲层、势垒层、GaN盖帽层的厚度之和，即其至少需要刻蚀至GaN缓冲层。

10.如权利要求1所述的GaN基材料的凹槽制备方法，其特征在于，所述腐蚀性溶液采用KOH、TMAH中的任意一种，腐蚀温度为25℃到100℃。