[发明专利]用于有机薄膜晶体管的可UV图案化的聚合物掺混物

说明书

一种聚合物掺混物包含与隔离聚合物掺混的有机半导体聚合物；用于生成活性自由基的至少一种光引发剂；以及包含C＝C键、硫醇或其组合的至少一种交联剂，使得所述有机半导体聚合物是二酮基吡咯并吡咯‑稠合噻吩聚合材料，所述稠合噻吩是β取代的，并且所述隔离聚合物具有非共轭骨架。还提出了形成具有聚合物掺混物的有机半导体装置的方法。

背景

1、技术领域

本公开涉及作为有机薄膜晶体管(OTFT)中的半导体层的可UV图案化的有机半导体/隔离聚合物掺混物。

2、背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)作为常规硅基技术的替代选择已引起广泛关注，常规的硅基技术需要高温和高真空沉积工艺，以及复杂的光刻图案化方法。半导体(即，有机半导体，OSC)层是OTFT中的一种重要部件，其可有效影响装置的性能。

传统的无机TFT装置阵列制造技术常依赖于光刻法作为图案化工艺。然而，光刻法在图案转移或光致抗蚀剂移除期间常涉及苛刻的氧(O₂)等离子体，以及涉及侵蚀性显影溶剂，它们可以严重地损坏OSC层并导致装置性能显著下降。

本公开提出了得到改进的可UV图案化的有机半导体/隔离聚合物掺混物及其用于有机薄膜晶体管的OSC层的用途。

发明内容

在一些实施方式中，一种聚合物掺混物包含：与隔离聚合物掺混的有机半导体聚合物；被构造用于生成活性自由基的至少一种光引发剂；以及包含C＝C键、硫醇或其组合的至少一种交联剂，其中，所述有机半导体聚合物是二酮基吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中，稠合噻吩是β取代的，并且其中，所述隔离聚合物具有非共轭骨架。

在可与任何的其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述有机半导体聚合物存在的量在1重量％至99重量％的范围内；所述隔离聚合物存在的量在1重量％至99重量％的范围内；所述至少一种光引发剂存在的量在0.1重量％至5重量％的范围内；以及所述至少一种交联剂存在的量在0.05重量％至10重量％的范围内。

在可与任意其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述有机半导体聚合物存在的量在10重量％至50重量％的范围内。

在可与任意其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一种光引发剂存在的量在0.1重量％至2.0重量％的范围内；并且所述至少一种交联剂存在的量在0.3重量％至5.0重量％的范围内。

在可与任意其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述聚合物掺混物还包含：抗氧化剂、润滑剂、增容剂或流平剂中的至少一种，其存在的量在0.05重量％至5重量％的范围内。

在可与任意其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述有机半导体聚合物包含式1或式2的重复单元，或者其盐、异构体或类似物：