[发明专利]用于有机薄膜晶体管的可UV图案化的聚合物掺混物

权利要求书

1.一种聚合物掺混物，其包含：

与隔离聚合物掺混的有机半导体聚合物；

被构造用于生成活性自由基的至少一种光引发剂；和

包含C＝C键、硫醇或其组合的至少一种交联剂，

其中，所述有机半导体聚合物是二酮基吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中，稠合噻吩是β取代的，并且

其中，所述隔离聚合物具有非共轭骨架。

2.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中：

所述有机半导体聚合物存在的量在1重量％至99重量％的范围内；

所述隔离聚合物存在的量在1重量％至99重量％的范围内；

所述至少一种光引发剂存在的量在0.1重量％至5重量％的范围内；以及

所述至少一种交联剂存在的量在0.05重量％至10重量％的范围内。

3.如权利要求2所述的聚合物掺混物，其中：

所述有机半导体聚合物存在的量在10重量％至50重量％的范围内。

4.如权利要求2所述的聚合物掺混物，其中：

所述至少一种光引发剂存在的量在0.1重量％至2.0重量％的范围内；以及

所述至少一种交联剂存在的量在0.3重量％至5.0重量％的范围内。

5.如权利要求2所述的聚合物掺混物，其还包括：

抗氧化剂、润滑剂、增容剂或流平剂中的至少一种，其存在的量在0.05重量％至5重量％的范围内。

6.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，所述有机半导体聚合物包含式1或式2的重复单元，或者其盐、异构体或类似物：

其中，在式1和式2中：

m为大于或等于1的整数；

n为0、1或2；

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈可以独立地为氢、取代或未取代的C₄或更高级烷基、取代或未取代的C₄或更高级烯基、取代或未取代的C₄或更高级炔基、或者C₅或更高级的环烷基；

a、b、c和d独立地为大于或等于3的整数；

e和f为大于或等于零的整数；

X和Y独立地为共价键、任选取代的芳基、任选取代的杂芳基、任选取代的稠合芳基或稠合杂芳基、炔或者烯；并且

A和B可以独立地为S或O中的任意一种，条件是：

i.至少R₁或R₂中的一种；R₃或R₄中的一种；R₅或R₆中的一种；以及R₇或R₈中的一种是取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、或者环烷基；

ii.如果R₁、R₂、R₃或R₄中的任意一种是氢，则R₅、R₆、R₇或R₈均不为氢；

iii.如果R₅、R₆、R₇或R₈中的任意一种是氢，则R₁、R₂、R₃或R₄均不为氢；

iv.e和f不可同时为0；

v.如果e或f中的任意一者为0，则c和d独立地为大于或等于5的整数；以及

vi.所述聚合物具有分子量，其中，聚合物的分子量大于10,000。