[发明专利]折叠显示屏及其制作方法在审
申请号: | 201811188420.1 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109346484A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 赵瑾荣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机层 图案化金属层 折叠 显示屏 基板 图案化 有机层 填满 制作 | ||
本发明提供一种折叠显示屏及其制作方法。所述折叠显示屏包括:一基板;多个无机层,设置在所述基板上;一图案化金属层,位于所述多个无机层的至少两个无机层之间;一第一过孔与一第二过孔,位于所述多个无机层中,其中所述第一过孔位于所述图案化金属层上,所述第二过孔位于相邻的两个图案化金属层之间,所述第一过孔的尺寸小于所述图案化金属层的尺寸;及一图案化有机层,设置在所述多个无机层上,并填满所述第一过孔与所述第二过孔。
【技术领域】
本发明涉及显示屏的技术领域,特别涉及一种折叠显示屏及其制作方法。
【背景技术】
智慧型手机近十年来发展迅速,手机当中的核心部件(即显示屏)的技术发展趋势显着地影响着手机的发展方向,例如由早期的液晶显示屏(LCD Display)到现在有机发光显示屏(OLED Display),及手机的结构设计由平面向曲面及将来的折叠方向发展。就结构设计而言,折叠显示屏比一般的显示屏要复杂得多,其中折叠过程对显示屏中的膜层所产生的应力的影响是在技术开发中需要考虑的。
如果显示屏折叠过程中使得膜层所受的应力过大或无法得到有效的释放,膜层会发生破裂(crack),显示屏上的薄膜电晶体(Thin Film Transistor,TFT)的电性也会受到影响,进而影响显示器的显示质量和可靠性。由于无机膜层(例如缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层等)的材料特性较脆,无机膜层在弯折过程中容易发生发生破裂,裂痕一般由显示屏外部向内部延伸,如果进一步延伸至功能区,例如薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)、静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路、栅极驱动电路(Gate Driveron Array,GOA)、主动区域像素(AA pixel)区域等,则会产生线缺陷、TFE封装失效、黑点、黑团、画面异常等不良现象,影响显示屏的质量。
因此,有必要提供一种折叠显示屏及其制作方法,其具有可有效舒缓应力的金属层、无机层、有机层的叠层结构,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种折叠显示屏及其制作方法,其具有可有效舒缓应力的金属层、无机层、有机层的叠层结构,以解决现有技术的折叠显示屏发生破裂、质量低的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种折叠显示屏,其特征在于,包括:
一基板;
多个无机层,设置在所述基板上;
一图案化金属层,位于所述多个无机层的至少两个无机层之间;
一第一过孔与一第二过孔,位于所述多个无机层中,其中所述第一过孔位于所述图案化金属层上,所述第二过孔位于相邻的两个图案化金属层之间,所述第一过孔的尺寸小于所述图案化金属层的尺寸;及
一图案化有机层,设置在所述多个无机层上,并填满所述第一过孔与所述第二过孔。
根据本发明一优选实施例,所述图案化有机层具有一长条状部分。
根据本发明一优选实施例,所述图案化有机层具有多个短条状部分。
根据本发明一优选实施例,所述图案化金属层的材质为钼、钼/铝或钼/铝/钼,所述图案化有机层的材质为有机光阻聚合物;及所述图案化金属层、所述第一过孔、所述第二过孔与所述图案化有机层设置在所述折叠显示屏的一栅极驱动电路或者外围边界区域中。
根据本发明一优选实施例,所述多个无机层包括一缓冲层、一第一栅极绝缘层、一第二栅极绝缘层与一层间介电层,依序由下往上设置所述基板上;及所述图案化金属层设置在所述第一栅极绝缘层上,且位于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间,或者位于所述第二栅极绝缘层与所述层间介电层之间,或者位于所述第一栅极绝缘层与所述层间介电层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的