[发明专利]具有光学结构的集成电路有效
申请号: | 201811171025.2 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN110349984B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 王佳祥;印秉宏;傅旭文;李俊佑 | 申请(专利权)人: | 广州印芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 510710 广东省广州市黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 光学 结构 集成电路 | ||
1.一种具有光学结构的集成电路,其特征在于包括:
半导体基板;以及
多个导光图案层,位于所述半导体基板的上方,其中各所述导光图案层分别具有多个开口以及多个对应的侧壁部,其中各所述侧壁部围绕对应的所述开口,且其中一所述导光图案层的其中一所述开口于所述半导体基板上的投影与相邻的所述导光图案层的其中一所述开口于所述半导体基板上的投影至少部分重叠,以形成至少一光通孔,并使外界光线能经由所述多个导光图案层传递至所述半导体基板,所述多个导光图案层包括:
第一导光图案层,位于所述半导体基板的上方,具有多个第一开口;
第二导光图案层,位于所述第一导光图案层的上方,具有多个第二开口,其中所述多个第一开口分别与所述多个第二开口相对应,且各所述第一开口于所述半导体基板上的投影与对应的所述第二开口于所述半导体基板上的投影在第一区域上重叠;以及
第三导光图案层,位于所述第二导光图案层的上方,具有多个第三开口,其中所述多个第二开口分别与所述多个第三开口相对应,且各所述第二开口于所述半导体基板上的投影与对应的所述第三开口于所述半导体基板上的投影在第二区域上重叠,
其中,所述第二开口与所述第一开口以及所述第三开口错位,且所述第一区域与所述第二区域完全重叠。
2.根据权利要求1所述的具有光学结构的集成电路,其特征在于,彼此对应的所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口形成所述至少一光通孔。
3.根据权利要求1所述的具有光学结构的集成电路,其特征在于,所述至少一光通孔的延伸方向垂直于所述半导体基板。
4.根据权利要求1所述的具有光学结构的集成电路,其特征在于,所述多个导光图案层是通过所述集成电路的金属内连线而形成。
5.根据权利要求1所述的具有光学结构的集成电路,其特征在于,所述多个导光图案层的材质为金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的