[发明专利]可挠式显示面板在审
申请号: | 201811156639.3 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109300954A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 江丞伟;蔡志鸿;陈佳楷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H01L51/00;H01L33/20;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠 通孔 缓冲层 元件层 可挠式显示面板 两端口 延伸 覆盖 配置 | ||
一种可挠式显示面板,包括第一可挠层、第二可挠层、缓冲层以及元件层。缓冲层夹置于第一可挠层与第二可挠层之间,并具有多个通孔,其中这些通孔从第一可挠层延伸至第二可挠层,而第一可挠层与第二可挠层分别覆盖各个通孔的两端口。各个通孔的宽度小于2微米。元件层配置于第二可挠层,其中第二可挠层位于元件层与缓冲层之间。
技术领域
本发明涉及一种显示器,且特别涉及一种可挠式显示面板。
背景技术
现有的可挠式显示面板通常包括多层彼此堆叠的膜层,其中这些膜层的材料并不完全相同。有的膜层是由有机材料所制成,而有的膜层是由无机材料所制成。在可挠式显示面板的制造过程中,这些材料不同的膜层难免会被加热,从而可能出现缺陷,例如气泡或翘曲(warpage)。上述缺陷会破坏可挠式显示面板的画面品质,所以需要进行修复(repairment)以消除缺陷。倘若缺陷过多或无法消除,可挠式显示面板必须进行重工(rework),甚至被迫报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可挠式显示面板,其所包括的第一可挠层、第二可挠层以及缓冲层能帮助减少或消除上述缺陷(例如气泡或翘曲)。
本发明至少一实施例所提供的可挠式显示面板包括第一可挠层、第二可挠层、缓冲层以及元件层。缓冲层夹置于第一可挠层与第二可挠层之间,并具有多个通孔,其中这些通孔从第一可挠层延伸至第二可挠层,而第一可挠层与第二可挠层分别覆盖各个通孔的两端口。各个通孔的宽度小于2微米。元件层配置于第二可挠层上,其中第二可挠层位于元件层与缓冲层之间。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲层的孔隙率(porosity)介于10%至90%之间。
在本发明至少一实施例中,上述第一可挠层与第二可挠层皆未填入于这些通孔内。
在本发明至少一实施例中,上述第一可挠层与第二可挠层至少一者填满这些通孔。
在本发明至少一实施例中,上述元件层具有显示区,而显示区对应于缓冲层投影出投影区域,其中部分这些通孔分布于投影区域内。
在本发明至少一实施例中,这些通孔周期性地分布在第一可挠层与第二可挠层之间。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲层的形状为网状。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲层的厚度介于1000埃至10000埃之间。
在本发明至少一实施例中,上述第一可挠层的厚度与第二可挠层的厚度实质上相等。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲层的材料为陶瓷、金属或合金。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲层的材料选自于由氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅化物所组成的族群。
本发明其他一实施例所提供的可挠式显示面板包括第一可挠层、第二可挠层、缓冲结晶层以及元件层。缓冲结晶层夹置于第一可挠层与第二可挠层之间,并具有至少晶粒边界(grain boundary),其中至少一晶粒边界连通于第一可挠层与第二可挠层之间。元件层配置于第二可挠层,其中第二可挠层位于元件层与缓冲结晶层之间。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲结晶层的厚度介于1000埃至10000埃之间。
在本发明至少一实施例中,上述第一可挠层的厚度与第二可挠层的厚度实质上相等。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲结晶层的材料选自于由氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅化物所组成的族群。
在本发明至少一实施例中,上述缓冲结晶层的材料选自于由铟锡氧化物(IndiumTin Oxide,ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)以及氧化铟镓锌(Indium GalliumZinc Oxide,IGZO)所组成的族群。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的