[发明专利]一种二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料的制备及应用在审
| 申请号： | 201811152974.6 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109019616A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 付少海;王冬;彭虹云;李敏;张丽平;田安丽;刘明明 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01G39/06;D01F6/54;D01F1/07 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 制备 纳米粒子 杂化材料 纳米花 阻燃剂 功能化二氧化硅 二氧化硅 原位负载 三明治 二氧化硅纳米颗粒 无机纳米杂化材料 三明治层状结构 纳米二氧化硅 层状结构 均匀负载 立体结构 三维结构 制备过程 阻燃效率 传统的 负载量 纳米片 相容性 构建 三层 杂化 力学 三维 应用 | ||
1.一种二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料的制备方法，其特征在于，所述方法是将钼源和硫源利用水热法合成二硫化钼纳米花，然后将所得到的二硫化钼纳米花作为基底，与硅源、含巯基的硅烷偶联剂通过化学键键接，原位合成超小二氧化硅纳米粒子并负载到二硫化钼纳米花上，得到二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述钼源和硫源的添加量质量分数比例为(1～1.5)：(2～3)。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述硅源、含巯基的硅烷偶联剂的添加量体积比为(2～4)：(0.5～1.5)。
4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述二硫化钼纳米花与硅源的质量体积比为(0.1～0.2)：(2～4)。
5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述二氧化硅纳米粒子负载到二硫化钼纳米花时的反应温度为40～65℃。
6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述钼源包括四水合钼酸铵、钼酸钠、氧化钼中的一种；所述硫源包括硫脲、硫代乙酰胺、硫氰酸钠中的一种。
7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述含巯基的硅烷偶联剂包括3-巯丙基三甲氧基硅烷，γ-巯丙基三乙氧基硅烷，γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种。
8.利用权利要求1～7任一所述方法制备得到的二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料。
9.一种阻燃聚丙烯腈纤维，其特征在于，所述阻燃聚丙烯腈纤维是利用权利要求8所述的二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料制备得到。
10.权利要求8所述的二氧化硅/二硫化钼三维杂化材料在阻燃领域中的应用。
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