[发明专利]可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，包括：

聚合物基底(10)，形状记忆聚合物制成；

探测器单元阵列，由多个探测器单元(20)按阵列排布而成，设置于所述聚合物基底(10)上；以及

石墨烯互联电极(30)，石墨烯互联导线制成，用于连接所述探测器单元阵列中的探测器单元(20)。

2.根据权利要求1所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述形状记忆聚合物包括：聚甲基丙烯酸甲酯或乙烯与醋酸乙烯酯共聚物。

3.根据权利要求1所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述探测器单元阵列中的探测器单元(20)为台面型，由外延片制备而成，探测器单元(20)包含上、下台面且台面表面分别设置有上、下电极。

4.根据权利要求3所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，其中所述外延片的结构由上到下包括：

P接触层和帽层(1)，制成材料包括：InP、InGaAsP或InGaAs；

光吸收层(2)，制成材料包括：InGaAs；

N接触层(3)，制成材料包括：N型掺杂InP、InGaAsP或InGaAs；

牺牲层(4)，制成材料包括：InGaAs或InGaAsP；以及

衬底(5)，制成材料包括：InP。

5.根据权利要求3所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述的探测器单元(20)的上、下电极包括：Au、Ti、Pt、Pd、Cr、Zn或AuGeNi合金的单层电极或它们组合的复合层电极。

6.根据权利要求1所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述石墨烯互联电极(30)的石墨烯互联导线的形状包括：波浪形线、S形线、分形或自相似图形。

7.根据权利要求1所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述石墨烯互联电极(30)的石墨烯互联导线为单层，横、纵两个方向走线，实现各个探测器单元(20)的信号输出。

8.一种制备方法，用于制备权利要求1至7任一项所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器，所述制备方法包括：

步骤A：生长外延片，生长中在外延片衬底(5)与N接触层(3)之间加入与N接触层(3)有高腐蚀选择比的牺牲层(4)；

步骤B：用步骤A所生长的外延片制备出台面型探测器单元(20)，并使其沿横、纵方向呈二维阵列排布；

步骤C：在步骤B所制备的探测器表面旋涂柔性聚合物材料，并在所述探测器单元(20)之间设置金属互联导线；

步骤D：在步骤C完成后的探测器表面用石墨烯旋涂并图形化，形成探测器单元之间的石墨烯互联导线，制成石墨烯互联电极(30)；

步骤E：在步骤D完成后的探测器表面旋涂未固化的柔性聚合物材料；

步骤F：预记忆探测器的聚合物基底(10)的立体形状；以及

步骤G：将步骤E旋涂完柔性聚合物材料的探测器粘连在步骤F所完成预记忆的探测器的聚合物基底(10)上，完成可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器的制备。

9.根据权利要求8所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器的制备方法，步骤B中将所述探测器单元(20)的上台面刻蚀到N接触层(3)的上表面，下台面刻蚀到牺牲层(4)的下表面。

10.根据权利要求9所述的可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器的制备方法，步骤C和步骤E中所旋涂的柔性聚合物材料包括：聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或生物降解塑料。