[发明专利]背照式BSI图像传感器

说明书

本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方。所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体图像传感器，更具体的，涉及一种背照式BSI图像传感器。

背景技术

数字相机及其它成像装置采用图像传感器。图像传感器将光学图像转换成可表示为数字图像的数字数据。图像传感器包含像素传感器阵列及支持逻辑电路。阵列的像素传感器用于测量入射光的单位装置，且支持逻辑电路促进测量的读出。常用于光学成像装置中的图像传感器类型为背照式(BSI)图像传感器。BSI图像传感器制造可集成到常规半导体过程中以降低成本、减小尺寸及提高集成度。此外，BSI图像传感器具有低操作电压、低功率消耗、高量子效率、低读出噪声且允许随机存取。

发明内容

根据本发明的实施例，一种背照式(BSI)图像传感器包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方，且所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。

根据本发明的实施例，一种背照式(BSI)图像传感器包括：衬底；像素传感器；及混合隔离，其在所述衬底中包围所述像素传感器，且所述混合隔离包括导电结构及至少覆盖所述导电结构的侧壁的介电层。

根据本发明的实施例，一种背照式(BSI)图像传感器包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；像素传感器；彩色滤光器，其对应于所述像素传感器且在所述背面上安置于所述衬底上方；第一混合隔离，其在所述衬底中包围所述像素传感器；及第二混合隔离，其在所述衬底的所述背面上包围所述彩色滤光器。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据业界常规做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1为根据一或多个实施例中的本揭露的方面的半导体图像传感器的一部分的俯视图。

图2为根据一或多个实施例中的本揭露的方面的沿图1的线A-A'取得的半导体图像传感器的一部分的横截面图。

图3为根据一或多个实施例中的本揭露的方面的半导体图像传感器的一部分的横截面图。

图4为根据一或多个实施例中的本揭露的方面的半导体图像传感器的一部分的横截面图。

图5为根据一或多个实施例中的本揭露的方面的半导体图像传感器的一部分的横截面图。

图6为表示用于制造根据本揭露的方面的半导体图像传感器的方法的流程图。

图7A到7H绘示根据一或多个实施例中的本揭露的方面所构造的各种制造阶段中的半导体图像传感器的一部分的一系列横截面图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述元件及布置的具体实例以简化本揭露。当然，此些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上”可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且也可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复旨在简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。