[发明专利]基片处理装置在审
申请号: | 201811139512.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109585336A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 稻富弘朗;中村彻;木本晃司;青山义尚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 区块 运送 液处理 液膜 超临界干燥 干燥组件 运送装置 基片处理装置 移动方向配置 超临界状态 处理流体 基片处理 基片干燥 区块配置 相邻配置 上表面 最优化 | ||
本发明提供一种基片处理装置,其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置,处理由运送装置运送的基片。另外,各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理,超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触,使液膜形成处理后的基片干燥。而且,同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本发明能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种使用超临界状态的处理流体除去附着在基片的表面的液体的技术。
背景技术
一直以来,已知一种超临界干燥处理,其在利用液体处理了半导体晶片等基片的表面后,使表面被液体润湿的状态的基片与超临界流体接触,以使基片干燥。
作为进行超临界干燥处理的基片处理装置,在专利文献1中公开了一种基片处理装置,其中,对基片进行液处理的第一腔室与对进行了液处理后的基片执行超临界干燥处理的第二腔室隔着基片的运送区域彼此相对地配置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5497114号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是,在上述的现有技术中,在最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理的方面还存在改善的余地。
例如,在专利文献1记载的基片处理装置中,配置在运送区域的运送机器人从第一腔室取出液处理后的基片之后,绕θ轴旋转,将液处理后的基片送入第二腔室。因此,当运送机器人绕θ轴旋转时,存在基片上的液体从基片被甩开的可能性,可能对超临界干燥处理产生影响。
实施方式的一个方式的目的在于,提供一种能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理的基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的基片处理装置包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置,对由运送装置运送的基片进行处理。另外,各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理,所述超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触,使液膜形成处理后的基片干燥。而且,同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。
发明的效果
根据实施方式的一个方式,能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。
附图说明
图1是从上方观察实施方式的基片处理系统的示意性的截面图。
图2是从侧方观察实施方式的基片处理系统的示意性的截面图。
图3是表示在实施方式的基片处理系统中执行的一系列基片处理的步骤的流程图。
图4是表示晶片的运送步骤的图。
图5是表示图4所示的步骤S3中的运送装置的动作例的图。
图6是表示液处理组件的结构例的图。
图7是表示干燥组件的结构例的示意立体图。
图8A是交接区域的示意性的截面图。
图8B是交接区域的示意性的截面图。
图9是表示处理区块的排气路径的结构例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造