[发明专利]一种硅化钴膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811120092.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110942984B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 何丹丹;任兴润;刘洋;王婷;汪雷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王莹;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅化钴膜 制备 方法 | ||
1.一种硅化钴膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：对硅衬底进行惰性气体等离子体处理以获得表面非晶化的衬底；
S2：高于300℃的温度条件下，在经步骤S1处理后的衬底上沉积钴形成膜层；以及
S3：将步骤S2所形成的膜层于高于500℃的温度条件下进行一次快速退火工艺即制得所述硅化钴膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体等离子体为等离子体化的Ar、Ne或Kr。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1的惰性气体等离子体处理过程中，处理时间为5～40s，射频能量为100～600W，气体流量为1～60sccm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，经所述步骤S1的惰性气体等离子体处理后的衬底中，其表面3～5nm的厚度呈非晶化。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2为于300～450℃的温度条件下，在经步骤S1处理后的衬底上沉积钴形成膜层。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用溅射沉积方式形成所述膜层。
7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述膜层的厚度为5～20nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3的快速退火工艺为均温退火工艺。
9.根据权利要求1或8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3的退火温度为500～700℃，退火时间为10～60s。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2在同一沉积腔室进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811120092.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
