[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。包括：层叠设置在衬底基板上的高织构介电层、有源层、栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接；其中，所述有源层的组成微粒为类单晶硅结构。本发明采用高织构介电层替代原有的缓冲层，以诱导有源层生长成类单晶硅结构，从而提高了薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

显示面板通常包括多个像素单元，每个像素单元中均设置有薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)。TFT是控制对应像素单元显示亮度的基本电路元件。TFT可以包括：层叠设置在衬底基板上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅电极和源漏极等。该源漏极包括源极和漏极，有源层为源极和漏极提供导电通道。其中，缓冲层通常由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO₂)制备得到，传统的非晶硅(Amorphous silicone，a-Si)TFT中，有源层为非晶硅层。

随着显示技术的快速发展，对显示产品的性能要求越来越高。传统的a-Si TFT无法满足显示产品的需求，因此相关技术中提供了氧化物(oxide)TFT和低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)TFT。氧化物TFT中，有源层可以由铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide，IGZO)等金属氧化物材料制成；LTPS TFT中，有源层为多晶硅(polycrystalline silicon，P-Si)层，该多晶硅层由对非晶硅进行晶化处理得到。

但是，LTPS TFT中，由于有源层中的多晶硅存在晶界缺陷的问题，会导致漏电流较大，影响TFT的性能，因此相关技术中的LTPS TFT的性能较差。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，可以解决相关技术中LTPS TFT的性能较差的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提高了一种薄膜晶体管，包括：

层叠设置在衬底基板上的高织构介电层、有源层、栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接；

其中，所述有源层为由类单晶硅结构材料组成的半导体膜层。

可选的，所述高织构介电层的组成微粒的晶向指数与单晶硅的晶向指数相同。

可选的，所述高织构介电层的制备材料包括氧化镁、氧化铈或掺杂有钇的氧化锆中的任意一种。

可选的，所述薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；

所述第一栅绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述第二栅绝缘层位于所述栅极和所述源漏极之间。

第二方面，提高了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成高织构介电层；

在形成有所述高织构介电层的衬底基板上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行晶化处理，使所述非晶硅层转换为由类单晶硅结构材料组成的半导体膜层，以生成有源层；

在形成有所述有源层的衬底基板上形成栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接。

可选的，在形成有所述高织构介电层的衬底基板上形成非晶硅层之后，所述方法还包括：

对所述非晶硅层进行脱氢处理；