[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

层叠设置在衬底基板上的高织构介电层、有源层、栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接；

其中，所述高织构介电层的组成微粒的晶向指数与单晶硅的晶向指数相同，所述高织构介电层的制备材料包括氧化镁或掺杂有钇的氧化锆中的任意一种，所述高织构介电层起到缓冲层和诱导模板层的作用，所述诱导模板层用于诱导所述有源层的组成微粒生长时以指定晶向指数结晶，所述有源层为由类单晶硅结构材料组成的半导体膜层，所述有源层为对经过脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理转化而成；

所述薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；

所述第一栅绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述第二栅绝缘层位于所述栅极和所述源漏极之间，所述第一栅绝缘层与所述栅极通过一次构图工艺形成。

2.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成高织构介电层；

在形成有所述高织构介电层的衬底基板上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行晶化处理，使所述非晶硅层转换为由类单晶硅结构材料组成的半导体膜层，以生成有源层，所述有源层为对经过脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理转化而成；

在形成有所述有源层的衬底基板上形成栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述栅极与所述有源层绝缘设置，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接；

其中，所述高织构介电层的组成微粒的晶向指数与单晶硅的晶向指数相同，所述高织构介电层的制备材料包括氧化镁或掺杂有钇的氧化锆中的任意一种，所述高织构介电层起到缓冲层和诱导模板层的作用，所述诱导模板层用于诱导所述有源层的组成微粒生长时以指定晶向指数结晶，

所述在形成有所述有源层的衬底基板上形成栅极和源漏极，包括：在形成有所述有源层的衬底基板上形成第一栅绝缘层；在形成有所述第一栅绝缘层的衬底基板上形成所述栅极，其中，所述第一栅绝缘层与所述栅极通过一次构图工艺形成；在形成有所述栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层；在形成所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成所述源漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述高织构介电层的衬底基板上形成非晶硅层，包括：

在所述高织构介电层远离所述衬底基板的一面上沉积非晶硅材料，以形成所述非晶硅层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行晶化处理，包括：

通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行晶化处理。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成高织构介电层，包括：

通过电子束蒸发工艺或离子束沉积工艺在所述衬底基板上形成所述高织构介电层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的如权利要求1所述的薄膜晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求6所述的阵列基板。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示器、有机发光二极管显示器、量子点发光二极管显示器或传感器。