[发明专利]一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法

权利要求书

1.一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：包括ITO溶胶制备，在干净的基片上匀胶，干燥，真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜，操作步骤如下：

（1）ITO溶胶制备：将配好的铟锡混合溶液按质量百分比加入0.5～2%的草酸和1-3%的甲基纤维素MC-400，并加热至60～65℃搅拌溶解，再向溶液中滴加适量氨水调节pH至2～3，停止加热，并在常温下搅拌3h后静置48小时，形成ITO溶胶；

（2）基片匀胶：取适量的ITO溶胶滴在干净的基片上，启动匀胶机按常规匀胶工艺进行匀胶；根据实际需要，匀胶次数可为1次或多次；

（3）干燥：将已匀胶的基片每匀胶一次进行一次干燥，干燥温度为50～200℃，干燥时间为20～60min；

（4）真空退火：先将真空炉加热到400～550℃，将干燥后的ITO薄膜样品快速放入，关闭真空炉，抽真空至-0.1～-0.05Mpa，保温1～2h，然后将ITO薄膜快速移出真空炉并冷却到室温得到（400）晶面择优取向ITO薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）所述的铟锡混合溶液的配制方法是称取一定量金属铟，加入适量浓盐酸使金属铟溶解，加热直到有结晶物析出，再加入适量去离子水，并按质量比In∶Sn= 85～97∶15～3的比例加入五水合四氯化锡，在60～65℃的条件下磁力搅拌10min，配制成0.2～1mol/L浓度的铟锡混合溶液。

3.根据权利要求2所述的一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：所述的铟锡混合混液的浓度优选0.3～0.5mol/L，In和Sn的质量比=90∶10。

4.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）所述的草酸的加入质量优选0.6～0.8%，甲基纤维素MC-400的加入质量优选1.2～1.5%。

5.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）所述的基片的材料包括普通玻璃、石英玻璃、含有氧化铝或氧化锆的陶瓷。

6.根据权利要求5所述的一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其特征在于：所述的基片的材料优选普通玻璃片。