[发明专利]DRAM中增加的刷新间隔和能量效率

权利要求书

1.一种设计存储器芯片的方法，所述方法包括：

确定易失性存储器阵列的部分在所述易失性存储器阵列的第一刷新间隔的故障概率，所述易失性存储器阵列的所述部分包括多个存储器单元；

至少部分地基于确定的故障概率来确定所述易失性存储器阵列的第二刷新间隔；以及

至少部分地基于确定的第二刷新间隔来确定要包含在所述易失性存储器阵列中的备用存储器单元的数量。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

计算所述易失性存储器阵列的能量-容量开销乘积；

其中确定所述易失性存储器阵列的所述第二刷新间隔进一步至少部分地基于所述易失性存储器阵列的计算的能量-容量开销乘积。

3.如权利要求2所述的方法，其中计算所述易失性存储器阵列的能量-容量开销乘积包括基于所述易失性存储器阵列的所述部分中的存储器单元的数量计算所述易失性存储器阵列的所述能量-容量开销乘积。

4.如权利要求2所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的所述第二刷新间隔进一步至少部分地基于所述易失性存储器阵列的计算的能量-容量开销乘积包括确定所述易失性存储器阵列的最大刷新间隔，所述最大刷新间隔基于为所述能量-容量开销乘积确定的最小值。

5.如权利要求1所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的所述部分的所述故障概率包括基于如下的至少一个来确定所述易失性存储器阵列的所述部分的所述故障概率：所述易失性存储器阵列的所述部分中的单个存储器单元的故障概率、所述易失性存储器阵列的所述部分中的存储器单元的数量、以及所述易失性存储器阵列的刷新间隔。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元包括动态随机存取存储器单元。

7.如权利要求1所述的方法，其中确定所述第二刷新间隔包括：

基于确定的故障概率确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用；以及

基于所述易失性存储器阵列的确定的改进的能量使用来确定所述第二刷新间隔。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括基于确定的故障概率确定所述易失性存储器阵列的存储器容量开销。

9.如权利要求8所述的方法，其中确定要包含在所述易失性存储器阵列中的备用存储器单元的所述数量进一步基于所述易失性存储器阵列的确定的存储器容量开销。

10.一种存储器芯片，包括：

存储器单元阵列，排列成多个存储器单元组；以及

存储器控制器，耦合到所述多个存储器单元组并且被配置为：

将所述存储器芯片的操作刷新间隔改变成增加的刷新间隔，所述增加的刷新间隔的持续时间比所述操作刷新间隔长；

将包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的存储器单元组的数量量化；以及

基于所述多个存储器单元组中的可用备用存储器单元组的数量以及基于量化的数量来选择所述存储器芯片的特定刷新间隔；

其中，为选择所述存储器芯片的所述特定刷新间隔，所述存储器控制器被配置为将可用备用存储器单元组的数量与量化的数量进行比较。

11.如权利要求10所述的存储器芯片，其中所述存储器控制器被配置为当可用备用存储器单元组的数量等于或大于包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的存储器单元组的量化的数量时，选择所述增加的刷新间隔作为所述特定刷新间隔。

12.如权利要求10所述的存储器芯片，其中所述存储器控制器被配置为当可用备用存储器单元组的数量小于包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的存储器单元组的量化的组的数量时，选择所述操作刷新间隔作为所述特定刷新间隔。