[发明专利]成像装置、成像装置的制造方法以及设备

说明书

本申请涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，被布置为覆盖光电转换部分的至少一部分。氮化硅层包含氯。氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

技术领域

本发明涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。

背景技术

已知一种在光电转换部分上方形成用作抗反射层的氮化硅以高效地使用进入光电转换部分的光的方法。日本专利公开No.2013-84693描述了通过使用六氯乙硅烷(HCD)作为源气体通过低压CVD(LP-CVD)在光电转换部分上方形成氮化硅的方法。

发明内容

发明人已经发现，当诸如太阳光之类的强光照射光电转换部分时像素的暗输出的变化量根据在光电转换部分上形成的氮化硅层的组成而有所不同。本发明的一方面提供有利于改善成像装置的特性的技术。

根据一些实施例，提供了一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，布置为覆盖光电转换部分的至少一部分，其中氮化硅层包含氯，并且氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

根据一些其它实施例，提供了一种制造成像装置的方法，包括：在基板中形成光电转换部分；以及形成覆盖光电转换部分的至少一部分的氮化硅层，其中氮化硅层包含氯，并且氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

根据还有一些其它实施例，提供了一种制造成像装置的方法，包括：在基板中形成光电转换部分；以及形成覆盖光电转换部分的至少一部分的氮化硅层，其中氮化硅层是通过使用包含六氯乙硅烷和氨的工艺气体形成的，并且工艺气体中氨/六氯乙硅烷比不小于60且小于120。

从以下(参考附图)对示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1A和图1B是用于解释根据实施例的成像装置的配置示例以及在成像装置中形成的像素的电路配置示例的视图；

图2A和图2B是示出第一实施例的成像装置的配置示例的平面图和截面图；

图3A和图3B是用于解释氮化硅层中的氯浓度与暗电流之间的关系以及氮化硅层中的N/Si组成比与暗输出的变化量之间的关系的视图；

图4A至图4C是示出制造第一实施例的成像装置的方法的示例的截面图；

图5A至图5C是示出制造第一实施例的成像装置的方法的示例的截面图；

图6A至图6C是示出制造第一实施例的成像装置的方法的示例的截面图；

图7是用于解释氮化硅层的沉积条件中的工艺气体中的氨/六氯乙硅烷比与氮化硅层中的N/Si组成比之间的关系的视图；以及

图8是第二实施例的成像装置的截面图。

具体实施方式

下面将参考附图解释根据本发明的成像装置的第一实施例和示例。在以下解释和附图中，相同的附图标记贯穿多个附图表示相同的部件。因此，将通过参考多个附图解释相同的部件，并且将省略由相同的附图标记表示的部件的解释。