[发明专利]成像装置、成像装置的制造方法以及设备

权利要求书

1.一种成像装置，其特征在于，包括：

基板，包括光电转换部分；以及

氮化硅层，布置为覆盖光电转换部分的至少一部分，

其中氮化硅层包含氯，以及

氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

2.如权利要求1所述的装置，还包括晶体管的栅极电极，用于转移存储在光电转换部分中的电荷，

其中氮化硅层的覆盖光电转换部分的那部分的下表面与基板的表面之间的距离短于栅极电极的上表面与基板的表面之间的距离。

3.如权利要求2所述的装置，其中氮化硅层还覆盖栅极电极的上表面和侧表面。

4.如权利要求1所述的装置，其中

氮化硅层包含硅、氮、氢和氯，以及

氮化硅层中的氯的组成比低于硅、氮和氢中的每一个的组成比。

5.如权利要求1所述的装置，其中氮化硅层中的氯浓度不小于0.3原子％。

6.如权利要求1所述的装置，其中氮化硅层中的氯浓度不大于6原子％。

7.如权利要求1所述的装置，还包括氧化硅层，该氧化硅层被布置为与氮化硅层接触并位于光电转换部分和氮化硅层之间，

其中氮化硅层的厚度不小于氧化硅层的厚度。

8.如权利要求1所述的装置，其中氮化硅层用作抗反射层。

9.如权利要求1所述的装置，其中基板包括放大元件，并且氮化硅层从光电转换部分上方的一部分延伸到放大元件上方的一部分。

10.一种设备，其特征在于，包括：

如权利要求1-9中任一项所述的成像装置；以及

处理器，被配置为处理从成像装置输出的信号。

11.一种制造成像装置的方法，其特征在于，包括：

在基板中形成光电转换部分；以及

形成覆盖光电转换部分的至少一部分的氮化硅层，

其中氮化硅层包含氯，以及

氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

12.如权利要求11所述的方法，其中通过使用包含六氯乙硅烷的工艺气体来形成氮化硅层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，

工艺气体还包含氨，以及

工艺气体中的氨/六氯乙硅烷比不小于60且小于120。

14.一种制造成像装置的方法，其特征在于，包括：

在基板中形成光电转换部分；以及

形成覆盖光电转换部分的至少一部分的氮化硅层，

其中通过使用包含六氯乙硅烷和氨的工艺气体来形成氮化硅层，以及

工艺气体中的氨/六氯乙硅烷比不小于60且小于120。