[发明专利]一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 201811094810.2 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109256427A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李轩;肖家木;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 电场 接触区 导通损耗 电学特性 金属电极 开启电压 退化问题 有效抑制 保护槽 屏蔽槽 肖特基 氧化层 侧栅 衬底 倒角 关断 漏极 时槽 双极 象限 | ||
1.一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于包括：N型衬底(12)、位于N型衬底(12)上方的N型外延层(10)、位于N型外延层(10)上方的P-body区(20)、位于P-body区(20)上方的P+接触区(21)和N+接触区(11)、位于P-body区(20)之间的氧化层(4)和侧栅(3)、位于侧栅(3)下方的P-shield区(22)、位于器件上方的金属电极(51)、位于器件下方且与N型衬底(12)形成欧姆接触的漏极(52)；金属电极(51)既与P+接触区(21)、N+接触区(11)欧姆接触形成器件源极，同时又在槽底与N型外延层(10)形成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于：槽底部P-shield区(22)之间设有槽底P型接触区(23)，槽底P型接触区(23)与P-shield区(22)相离，金属电极(51)在槽底P型接触区(23)与P-shield区(22)相离的间隙处形成肖特基接触。
3.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于：槽底的P-shield区(22)为连续的一片区域，或分离的多个子区域。
4.根据权利要求3所述的一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于：在槽底P-shield区(22)分离的多个子区域间设有槽底N型接触区(13)，N型接触区(13)与P-shield区(22)分离的子区域相切或相离。
5.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于：P+接触区(21)位于P-body区(20)内部，同时N+接触区(11)仍位于P-body区(20)上方。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。
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