[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板在审
申请号: | 201811088504.8 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109244114A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 卜倩倩;胡伟频;贾一凡;姜明宵;魏从从;孙晓;王丹;邱云 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1333;G01N33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气体探测器 阵列基板 晶体管 制备 便携式显示装置 气体敏感层 第二电极 第一电极 同层设置 显示面板 加热层 非显示区 随身携带 显示装置 直接安装 显示区 源漏极 膜层 加热 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。该阵列基板包括设置在显示区的晶体管,还包括设置在非显示区的气体探测器,气体探测器包括加热层、第一电极、第二电极和气体敏感层,加热层与晶体管的栅极同层设置且采用相同材料,用于加热气体敏感层;第一电极和第二电极与晶体管的源漏极同层设置且采用相同材料。该阵列基板能够实现将气体探测器集成在便携式显示装置内部,从而使气体探测器随身携带更加方便;该阵列基板还能使气体探测器的部分结构能与晶体管的某些膜层采用相同工艺同时制备,从而使气体探测器无需直接安装在便携式显示装置内部,不仅降低了安装成本,而且降低了集成有气体探测器的显示装置的制备成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
有害气体的探测很有必要,如果在人们的便携设备上带有对有害气体的检测功能,将极大地提高自我防护。
但自带便携式的气体探测仪有诸多不便,如果将气体探测器加载在便携设备如手机内部,又会额外增加便携设备的制作成本。
因此,如何既不额外增加便携设备制作成本又能通过便携设备携带气体探测仪已成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。该阵列基板能够实现将气体探测器集成在便携式显示装置内部,从而使气体探测器随身携带更加方便;该阵列基板还能使气体探测器的部分结构能与晶体管的某些膜层采用相同工艺同时制备,从而使气体探测器无需直接安装在便携式显示装置内部,不仅降低了安装成本,而且降低了集成有气体探测器的显示装置的制备成本。
本发明提供一种阵列基板,包括设置在显示区的晶体管,还包括设置在非显示区的气体探测器,所述气体探测器包括加热层、第一电极、第二电极和气体敏感层,所述加热层与所述晶体管的栅极同层设置且采用相同材料,用于加热所述气体敏感层;所述第一电极和所述第二电极与所述晶体管的源漏极同层设置且采用相同材料。
优选地,所述阵列基板还包括基底,所述晶体管的栅绝缘层延伸至所述非显示区;
所述第一电极、所述栅绝缘层、所述第二电极和所述气体敏感层在远离所述基底的方向上依次设置。
优选地,所述第一电极和所述第二电极构成叉指电极。
优选地,所述叉指电极相邻叉指之间的间隙距离范围为3-10μm,所述叉指电极的叉指宽度范围为5-20μm,所述叉指电极的厚度范围为100-350nm。
优选地,所述加热层的材料包括银、铜、铝、钼、钨、镁中的任意一种;所述气体敏感层的材料包括添加有铂或钯的氧化锡、氧化铁、氧化锌中的任意一种。
优选地,所述气体探测器为多个,多个所述气体探测器呈阵列排布。
本发明还提供一种显示面板,包括上述阵列基板。
本发明还提供一种上述阵列基板的制备方法,包括:在显示区制备形成晶体管;还包括:在非显示区制备形成气体探测器;所述气体探测器的加热层与所述晶体管的栅极采用同一构图工艺同时形成;所述气体探测器的第一电极和第二电极与所述晶体管的源漏极采用同一构图工艺同时形成。
优选地,制备形成所述晶体管和制备形成所述气体探测器包括:
在基底上形成包括所述加热层和所述栅极的图形;
形成所述晶体管的栅绝缘层的图形;所述栅绝缘层延伸至所述非显示区;
形成包括所述晶体管的有源层的图形;
形成包括所述第一电极、所述第二电极和所述源漏极的图形;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811088504.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的