[发明专利]一种PTC器件的制造方法及PTC器件在审
申请号: | 201811048086.X | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109192422A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 丁鲲鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳中科四合科技有限公司 |
主分类号: | H01C17/28 | 分类号: | H01C17/28;H01C17/00;H01C7/02 |
代理公司: | 深圳众赢通宝知识产权代理事务所(普通合伙) 44423 | 代理人: | 翁治林 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊盘 导体层 钻孔 正温度系数热敏电阻 各向异性材料 金属材料 互联方式 间隙区域 双层作用 双面结构 四层结构 制造工艺 钻孔成本 工艺流程 长方向 传统的 宽方向 无穷大 钻头 单层 磨损 制造 传递 覆盖 | ||
1.一种PTC器件的制造方法,其特征在于,包括:
A.在两面均为金属箔的PTC片材的两面进行蚀刻;
其中,第一面金属箔,仅蚀刻各个PTC器件单元之间的金属箔;第二面金属箔,蚀刻各个PTC器件单元内的焊盘之间的金属箔;
所述PTC片材为各向异性材料,沿所述PTC片材的厚度方向具有正温度系数热敏电阻性能,沿所述PTC片材的宽方向和长方向不传递电流且阻值无穷大。
2.如权利要求1所述PTC器件的制造方法,其特征在于,所述步骤A之后还包括:
B.在所述第一面金属箔的一侧粘接补强层;
C.从所述第二面金属箔侧,去除各个PTC器件单元内的焊盘之间的PTC材料。
3.如权利要求2所述PTC器件的制造方法,其特征在于,所述补强层为环氧树脂、聚酰亚胺或BT层;
所述粘接补强层,通过低温粘接剂粘接,所述低温粘接剂的粘接温度低于149℃。
4.如权利要求2所述PTC器件的制造方法,其特征在于,所述蚀刻各个PTC器件单元内的焊盘之间的金属箔的宽度大于5μm;
PTC器件单元内的焊盘的面积之和是PTC器件单元内的焊盘之间的面积之和的3倍以上。
5.如权利要求2所述PTC器件的制造方法,其特征在于,所述步骤C之后还包括:
D.对所述第二面金属箔,使用绿油覆盖各个PTC器件单元内的部分焊盘或焊盘的一部分;
通过绿油填充各个PTC器件单元内的焊盘之间的由于去除PTC材料带来的间隙。
6.如权利要求2所述PTC器件的制造方法,其特征在于,所述步骤C之后还包括:
E.通过层压、钻盲孔和电镀工艺,将所述PTC器件单元的第二面金属箔的焊盘与PCB板材的电路连接。
7.一种PTC器件的制造方法,其特征在于,包括:
A.在两面均为金属箔的PTC片材的两面进行蚀刻;
其中,第一面金属箔,仅蚀刻各个PTC器件单元之间的金属箔;第二面金属箔,蚀刻各个PTC器件单元内的焊盘之间的金属箔;
B.在所述第一面金属箔的一侧粘接补强层;
C.从所述第二面金属箔侧,去除各个PTC器件单元内的焊盘之间的PTC材料;
所述PTC片材为各向同性材料,沿所述PTC片材的厚度方向、宽方向和长方向具有正温度系数热敏电阻性能。
8.一种PTC器件,包括PTC片材、第一焊盘和第二焊盘,其特征在于,所述第一焊盘和第二焊盘位于PTC片材的同一侧,所述PTC片材的另一侧为导体层,所述导体层覆盖所述第一焊盘、第二焊盘及第一焊盘和第二焊盘的间隙区域;
所述PTC片材为各向异性材料,沿所述PTC片材的厚度方向具有正温度系数热敏电阻性能,沿所述PTC片材的宽方向和长方向不传递电流且阻值无穷大。
9.如权利要求8所述PTC器件,其特征在于,所述第一焊盘和第二焊盘之间的PTC片材被去除;
所述PTC片材的另一侧的导体层层设置有补强层。
10.一种PTC器件,包括PTC片材、第一焊盘和第二焊盘,其特征在于,所述第一焊盘和第二焊盘位于PTC片材的同一侧,所述PTC片材的另一侧为导体层,所述导体层覆盖所述第一焊盘、第二焊盘及第一焊盘和第二焊盘的间隙区域;
所述第一焊盘和第二焊盘之间的PTC片材被去除;
所述PTC片材的另一侧为导体层,所述导体层覆盖所述第一焊盘、第二焊盘及第一焊盘和第二焊盘的间隙区域;
所述PTC片材为各向同性材料,沿所述PTC片材的厚度方向、宽方向和长方向具有正温度系数热敏电阻性能。
11.如权利要求10所述PTC器件,其特征在于,所述PTC片材的另一侧的导体层层设置有补强层。
12.如权利要求10所述PTC器件,其特征在于,所述第一焊盘和第二焊盘的部分区域涂布有绿油,所述第一焊盘和第二焊盘之间的间隙区域填充有绿油。
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