[发明专利]一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法及装置在审
申请号: | 201811026559.6 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109148338A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘玉龙;贺贤汉;朱强健 | 申请(专利权)人: | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾兰芳 |
地址: | 310000 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混酸 腐蚀机 醋酸 硝酸 储备槽 氢氟酸 质量分数 换液 浓度调节 | ||
本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸280L‑350L;步骤二,通过添加氢氟酸15L‑30L、硝酸60L‑90L、醋酸30L‑60L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸5%‑8%、硝酸30%‑50%、醋酸10%‑30%;步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%‑8%、硝酸30%‑50%、醋酸10%‑30%的混酸280L‑350L注入混酸储备槽B;步骤四,将调节好浓度的混酸注入腐蚀机。
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体涉及一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法及装置。
背景技术
在半导体硅片的生产工艺中,酸腐蚀工艺是应用最广的去除损伤层的一种方法。比较普遍的方式是通过一定比例的氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸在一定的温度下与硅片发生化学反应,腐蚀掉表面的损伤层,加工过程中要保证硅片腐蚀的速率,硅片表面的腐蚀均匀性。但随着硅片的尺寸越来越大,器件的线宽越来越小,对硅片的表面平整度要求也越来越高。这就要求对应不同掺杂类型的硅片有更精确的混酸浓度、温度、鼓泡等条件的控制,在硅片品种切换时,混酸的浓度变化非常大。
现在的换液做法有直接排掉原比例的混酸,然后配制新比例的混酸;稍经济一点的做法是在原混酸比例的基础上单独添加氢氟酸、硝酸、醋酸来改变混酸的比例,但是也会排掉一定比例的混酸,造成浪费,并且添加单酸会消耗大量的时间,影响生产效率。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,以解决对腐蚀过程中,硅片类型改变,相应的腐蚀混酸溶液也要改变,但调节混酸溶液的浓度过程复杂、时间长、效率低的问题。
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的装置,以解决对腐蚀过程中,硅片类型改变,相应的腐蚀混酸溶液也要改变,但调节混酸溶液的浓度过程复杂、时间长、效率低的问题。
本发明的技术方案是:一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:
步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸280L-350L;
步骤二,通过添加氢氟酸15L-30L、硝酸60L-90L、醋酸30L-60L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%;
步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%的混酸280L-350L注入混酸储备槽B;
步骤四,将调节好浓度的混酸注入腐蚀机。
本发明通过两个储备槽能同时暂存两种不同浓度的混酸,从而能够缩短混酸切换时间,还能减少混酸的浪费,节省成本。
所述步骤一中储备槽内加入室温下的混酸300L。
所述步骤二中添加氢氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L。
所述步骤二中对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%。
所述步骤三中,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸储备槽B。
作为一种优选方案,一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:
步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸300L;
步骤二,通过添加氢氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%;
步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸储备槽B;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造