[发明专利]一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法及装置在审

专利信息
申请号: 201811026559.6 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109148338A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 刘玉龙;贺贤汉;朱强健 申请(专利权)人: 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 顾兰芳
地址: 310000 浙江省杭州市萧山区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 混酸 腐蚀机 醋酸 硝酸 储备槽 氢氟酸 质量分数 换液 浓度调节
【说明书】:

发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸280L‑350L;步骤二,通过添加氢氟酸15L‑30L、硝酸60L‑90L、醋酸30L‑60L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸5%‑8%、硝酸30%‑50%、醋酸10%‑30%;步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%‑8%、硝酸30%‑50%、醋酸10%‑30%的混酸280L‑350L注入混酸储备槽B;步骤四,将调节好浓度的混酸注入腐蚀机。

技术领域

本发明涉及半导体领域,具体涉及一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法及装置。

背景技术

在半导体硅片的生产工艺中,酸腐蚀工艺是应用最广的去除损伤层的一种方法。比较普遍的方式是通过一定比例的氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸在一定的温度下与硅片发生化学反应,腐蚀掉表面的损伤层,加工过程中要保证硅片腐蚀的速率,硅片表面的腐蚀均匀性。但随着硅片的尺寸越来越大,器件的线宽越来越小,对硅片的表面平整度要求也越来越高。这就要求对应不同掺杂类型的硅片有更精确的混酸浓度、温度、鼓泡等条件的控制,在硅片品种切换时,混酸的浓度变化非常大。

现在的换液做法有直接排掉原比例的混酸,然后配制新比例的混酸;稍经济一点的做法是在原混酸比例的基础上单独添加氢氟酸、硝酸、醋酸来改变混酸的比例,但是也会排掉一定比例的混酸,造成浪费,并且添加单酸会消耗大量的时间,影响生产效率。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,以解决对腐蚀过程中,硅片类型改变,相应的腐蚀混酸溶液也要改变,但调节混酸溶液的浓度过程复杂、时间长、效率低的问题。

针对现有技术存在的问题,本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的装置,以解决对腐蚀过程中,硅片类型改变,相应的腐蚀混酸溶液也要改变,但调节混酸溶液的浓度过程复杂、时间长、效率低的问题。

本发明的技术方案是:一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:

步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸280L-350L;

步骤二,通过添加氢氟酸15L-30L、硝酸60L-90L、醋酸30L-60L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%;

步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%的混酸280L-350L注入混酸储备槽B;

步骤四,将调节好浓度的混酸注入腐蚀机。

本发明通过两个储备槽能同时暂存两种不同浓度的混酸,从而能够缩短混酸切换时间,还能减少混酸的浪费,节省成本。

所述步骤一中储备槽内加入室温下的混酸300L。

所述步骤二中添加氢氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L。

所述步骤二中对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%。

所述步骤三中,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸储备槽B。

作为一种优选方案,一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法,包括:

步骤一,在储备槽A加入室温下的混酸300L;

步骤二,通过添加氢氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L,对储备槽A中的混酸进行浓度调节,将混酸的质量分数调到氢氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%;

步骤三,将腐蚀机中质量分数为氢氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸储备槽B;

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