[发明专利]一种膜质检测装置及其制作方法和检测方法

说明书

本发明公开一种膜质检测装置及其制作方法和检测方法，涉及显示技术领域，以保证绝缘层的膜质性能较好的情况下，减少形成绝缘层时金属层的氧化强度。该膜质检测装置包括衬底基板和设在衬底基板上的至少一个电容，每个电容包括依次层叠设置的第一金属层、中间绝缘层和第二金属层；第一金属层在衬底基板所在板面的正投影位于第二金属层在衬底基板所在板面的正投影内且具有交叠区域，中间绝缘层至少具有爬坡部，爬坡部在衬底基板所在板面的正投影位于交叠区域。所述膜质检测装置的制作方法用于制作上述膜质检测装置。本发明提供的膜质检测装置及其制作方法和检测方法用于检测膜质均匀性中。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种膜质检测装置及其制作方法和检测方法。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，缩写为OLED)显示器是一种自发光的平板显示设备，其不需背光源、可实现柔性显示，具有良好的应用前景。

现有OLED显示器包括阵列基板以及形成在阵列基板上的发光器件阵列。阵列基板所包括的薄膜晶体管的绝缘层一般采用高温沉积的工艺制作而成，但这也使得先于绝缘层形成的金属膜层容易发生氧化。在实际制作过程中，如果要保证绝缘层具有高致密性，那么需要采用尽量高的沉积温度沉积绝缘层，但这容易使得先于绝缘层形成的金属膜层发生氧化问题。而如果要降低先于绝缘层形成的金属膜层的氧化强度，那么就需尽量降低制作绝缘层的沉积温度，但这也使得绝缘层的致密性受到影响，且在金属膜层的刻蚀坡度角度比较大的时候，绝缘层对应金属膜层坡度较大位置的区域较薄或者膜质比较疏松，导致在多次高温处理后，绝缘层这个区域的膜层发生断裂，使得位于绝缘层的两侧的金属层发生短路。

为了检测绝缘层这个区域的膜质均匀性，一般采用氢氟酸腐蚀的方式对绝缘层这个区域进行取样，然后利用扫描电镜观察绝缘层这个区域的膜层均匀性。但是这种取样方式的取样点过少，存在一定的偶然性，很难反映绝缘层这个区域的膜质性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种膜质检测装置及其制作方法和检测方法，以保证绝缘层的膜质性能较好的情况下，减少形成绝缘层时，对先于绝缘层形成的金属层的氧化强度。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种膜质检测装置，该膜质检测装置包括衬底基板和设在所述衬底基板上的至少一个电容，每个所述电容包括远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一金属层、中间绝缘层和第二金属层；所述第一金属层在衬底基板所在板面的正投影位于所述第二金属层在衬底基板所在板面的正投影内，所述第一金属层在衬底基板所在板面的正投影与所述第二金属层在衬底基板所在板面的正投影具有交叠区域，所述中间绝缘层至少具有爬坡部，所述爬坡部在衬底基板所在板面的正投影位于所述交叠区域。

与现有技术相比，本发明提供的膜质检测装置中，每个电容包括的第一金属层在衬底基板所在板面的正投影位于第二金属层在衬底基板所在板面的正投影内，中间绝缘层至少具有爬坡部，而爬坡部在衬底基板所在板面的正投影位于交叠区域，这使得中间绝缘层所具有的爬坡部的膜质较差容易出现断裂，导致第一金属层和第二金属层在衬底基板的投影交叠区域具有短路的风险。基于此，可通过向至少一个电容所包括的第一金属层和第二金属层施加电压，用以测试至少一个电容的电学突变参数，从而根据电学突变参数出现的时间早晚或者电学突变参数的大小判断至少一个电容所包括的中间绝缘层所具有的爬坡部的膜质性能。因此，本发明提供的膜质检测方法可对任何环境下的绝缘层所具有的爬坡部进行膜质性能检测，以使得作业人员根据膜质性能检测结果调节绝缘层的形成工艺参数，以在保证绝缘层的膜质性能较好的情况下，降低形成绝缘层时对先于绝缘层形成的金属层的氧化强度。

本发明还提供了一种膜质检测装置的制作方法，该膜质检测装置的制备方法包括：

提供一衬底基板；