[发明专利]适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器

权利要求书

1.一种适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)，包括：

硅基衬底(11)，用于设置各功能器件；

N阱(12)和P阱(13)，分别设置在所述硅基衬底(11)上，并在所述N阱(12)和所述P阱(13)之界面处设置P型重掺杂区(10)；

第一P型重掺杂区(121)与第一N型重掺杂区(122)，间隔设置在所述N阱(12)上，并在所述第一P型重掺杂区(121)与所述第一N型重掺杂区(122)之间设置第一浅沟槽隔离(120)；

第二P型重掺杂区(123)与第二N型重掺杂区(124)，间隔设置在所述P阱(14)上，并在所述第二P型重掺杂区(123)与所述第二N型重掺杂区(124)之间设置第二浅沟槽隔离(125)；

第三浅沟槽隔离(126)，设置在所述第一N型重掺杂区(122)与所述P型重掺杂区(10)之间；

第四浅沟槽隔离(127)，设置在所述第二N型重掺杂区(124)与所述P型重掺杂区(10)之间；

阳极，与所述第一P型重掺杂区(121)和所述第一N型重掺杂区(122)电连接；

阴极，与所述第二P型重掺杂区(123)与所述第二N型重掺杂区(124)电连接。

2.如权利要求1所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)无单一作为N阱(12)接触点的N型重掺杂区。

3.如权利要求2所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述第一N型重掺杂区(122)和所述阳极(14)直接电连接，兼具器件中N阱(12)之接触点。

4.如权利要求1所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)通过调节所述第一N型重掺杂区(122)之尺寸大小，以及所述第一P型重掺杂区(121)与所述第一N型重掺杂区(122)之间的距离来调节维持电压，以实现无回滞效应特性。

5.如权利要求4所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，作为保护环用的第一N型重掺杂区(122)的宽度范围值为0.1～4μm。

6.如权利要求4所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，作为保护环用的第一N型重掺杂区(122)与第一P型重掺杂区(121)之间的第一浅沟槽隔离(120)的宽度范围值为0.1～4μm。

7.如权利要求1所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)通过调节第一N型重掺杂区(122)与P型重掺杂区(10)之间的第三浅沟槽隔离(126)之尺寸大小，以调节回滞效应时的触发电压。

8.如权利要求7所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，作为保护环用的第一N型重掺杂区(122)与P型重掺杂区(10)之间的第三浅沟槽隔离(126)的宽度范围值为0.1～2μm。

9.如权利要求7所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述回滞效应的维持电压接近或者等于触发电压。

10.如权利要求1所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)之构成反向P-i-N二极管的第一N型重掺杂区(122)与P型重掺杂区(10)之间插入第三浅沟槽隔离(126)。

11.如权利要求1所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)应用于ESD保护电路中的输入输出端的保护电路和电源对地的保护电路。