[发明专利]显示基板的制备方法在审
申请号: | 201811013215.1 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109148337A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 谷朋浩;谢春燕;王伟;蔡宝鸣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背膜 粘合力 显示基板 邦定区 显示区 基板区 基底 制备 弯折区 周边区 去除 剥离工艺 依次排列 列方向 切割 环绕 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成具有第一粘合力的背膜材料;所述基底包括基板区,以及环绕所述基板区的周边区;所述基板区包括沿列方向依次排列的显示区、弯折区和邦定区;
沿所述显示区和所述邦定区的轮廓对所述背膜材料进行切割,通过剥离工艺去除所述周边区和所述弯折区的背膜材料,并对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理,使所述显示区和所述邦定区的背膜材料由第一粘合力变为第二粘合力,以在所述基底上形成背膜;其中,所述第二粘合力大于所述第一粘合力。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成背膜的步骤具体包括:
先沿所述显示区和所述邦定区的轮廓对所述背膜材料进行切割,通过剥离工艺去除所述周边区和所述弯折区的背膜材料,再对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理,使所述显示区和所述邦定区的背膜材料由第一粘合力变为第二粘合力。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理的步骤具体包括:通过曝光工艺或者加热工艺对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成背膜的步骤具体包括:
先对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理,使所述显示区和所述邦定区的背膜材料由第一粘合力变为第二粘合力,再沿所述显示区和所述邦定区的轮廓对所述背膜材料进行切割,通过剥离工艺去除所述周边区和所述弯折区的背膜材料。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述对所述显示区和所述邦定区的背膜材料进行处理的步骤具体包括:
将掩膜板置于所述背膜材料的上方,所述掩膜板的镂空区域与所述显示区和所述邦定区对应;
对所述基底进行曝光。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述通过剥离工艺去除所述周边区和所述弯折区的背膜的步骤具体包括:
通过胶带黏粘去除所述周边区和所述弯折区的背膜。
7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:
对形成有背膜的基底进行切割,形成一个或者多个显示基板。
8.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述背膜材料包括背膜基材和背膜胶材,背膜基材通过所述背膜胶材与所述基底贴合;其中,所述背膜胶材包括光敏树脂。
9.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述第一粘合力的取值为1gf/Inch-10gf/Inch。
10.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述第二粘合力大于1000gf/Inch。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造