[发明专利]壳体制作方法、壳体及电子设备

权利要求书

1.一种壳体制作方法，其特征在于，包括：

提供壳体基材；

在所述壳体基材上交替形成多层金属层及多层隔绝层,所述多层隔绝层包括半导体层和绝缘层中的一者或多者，任意相邻的两层所述金属层之间均排布有一层或多层所述隔绝层。

2.根据权利要求1所述的壳体制作方法，其特征在于，所述多层金属层包括第一金属层和第二金属层；

在所述壳体基材上交替形成多层金属层及多层隔绝层中包括：

在所述壳体基材上沉积所述第一金属层，其中，所述第一金属层为具有交错排布的缝隙的金属薄膜；

在所述第一金属层远离所述壳体基材的一侧沉积半导体材料以形成隔绝层，其中，所述半导体材料覆盖所述缝隙；及

在所述隔绝层远离所述壳体基材的一侧形成所述第二金属层。

3.根据权利要求2所述的壳体制作方法，其特征在于，所述第一金属层包括第一金属材料及第二金属材料；

在所述壳体基材上沉积所述第一金属层包括：

在所述壳体基材上同时沉积所述第一金属材料及所述第二金属材料，以形成合金层，所述第一金属材料的还原性低于所述第二金属材料的还原性；及

去除所述合金层中所述第二金属材料，以形成所述第一金属层。

4.根据权利要求3所述的壳体制作方法，其特征在于，所述第一金属材料为铟，所述第二金属材料为铝，去除所述合金层中所述第二金属材料包括：

通过盐酸溶液浸泡所述合金层，以将所述铝腐蚀掉。

5.根据权利要求3所述的壳体制作方法，其特征在于，在所述合金层中所述第一金属材料的体积百分比在70％至80％的范围内，在所述合金层中所述第二金属材料的体积百分比在20％至30％的范围内。

6.根据权利要求2所述的壳体制作方法，其特征在于，所述第一金属层包括第一金属材料及第二金属材料；

在所述壳体基材上沉积所述第一金属层包括：

在所述壳体基材上同时沉积所述第一金属材料及所述第二金属材料，以形成合金层；及

钝化所述合金层，所述合金层的表面生成所述第一金属材料和/或所述第二金属材料的氧化物，以形成所述第一金属层。

7.根据权利要求6所述的壳体制作方法，其特征在于，所述第一金属材料为锡，所述第二金属材料为铟。

8.根据权利要求7所述的壳体制作方法，其特征在于，在钝化所述合金层中包括：

在氧气条件下对所述合金层加热处理。

9.根据权利要求8所述的壳体制作方法，其特征在于，所述加热温度在90℃至120℃的范围内。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的壳体制作方法，其特征在于，所述半导体材料为氧化钛，所述隔绝层还用于增加所述金属层与所述壳体基材之间的附着力。

11.根据权利要求1所述的壳体制作方法，其特征在于，所述多层金属层包括第一金属层和第二金属层；

在所述壳体基材上交替形成多层金属层及多层隔绝层中包括：

在所述壳体基材上沉积所述第一金属层，其中，所述第一金属层为金属纳米颗粒膜，所述第一金属层的多个金属纳米颗粒间隔排布；

在所述第一金属层远离所述壳体基材的一侧沉积半导体材料以形成隔绝层，其中，所述半导体材料覆盖每两个所述金属纳米颗粒之间的间隙；及

在所述隔绝层远离所述壳体基材的一侧形成所述第二金属层。

12.根据权利要求1、2及11中任一项所述的壳体制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铟锡合金和铟中的至少一者。