[发明专利]基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法

权利要求书

1.一种基准电流产生电路，其特征在于，所述基准电流产生电路包括相互并联的两个存储器件，以及分别与两个存储器件串联的两个选通开关，两个存储器件的另一端分别连接于编程COM线和擦除COM线；两个所述选通开关远离所述存储器件的一端连接于第一组场效应管；所述第一组场效应管中的第一场效应管的栅极和源极还连接有第二组场效应管中第二场效应管的栅极，所述第二组场效应管的源极连接于所述基准电流产生电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的基准电流产生电路，其特征在于，所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极均接地。

3.根据权利要求1所述的基准电流产生电路，其特征在于，所述第一组场效应管包括m个并联的场效应管，所述第二组场效应管包括n个并联的场效应管。

4.根据权利要求1所述的基准电流产生电路，其特征在于，所述电路还包括比较器，所述比较器的第一输入端连接于存储单元电流输出端，所述比较器的第二输入端连接于所述基准电路产生电路的输出端，所述比较器比较所述单元电流和所述基准电流并输出比较结果。

5.根据权利要求1所述的基准电流产生电路，其特征在于，所述并联的两个存储器件以及连接于两者的选通开关构成一组存储器件，多组存储器件构成基准单元。

6.一种非易失性存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元以及如权利要求1至5项中任一项所述的非易失性存储器的基准电流产生电路，所述基准电流产生电路包括基准单元和连接于所述基准单元的第一组场效应管，所述基准单元与所述存储单元位于同一个N阱中。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其特征在于，所述基准单元中包括多组存储器件，其中一半的存储器件为已编程基准单元，另一半的存储器件为已擦除基准单元。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其特征在于，所述已编程基准单元的电流与已编程的存储单元电流保持匹配；所述已擦除基准单元的电流与已擦除的存储单元电流保持匹配。

9.一种基准电流产生方法，其特征在于，包括以下步骤：

当对非易失性存储器存储器件进行擦除操作时，将基准单元中的存储器件接通至擦除COM线，同步擦除已编程基准单元，以得到擦除电流；

将基准单元中一半的存储器件的BL端接通高电平，对基准单元中一半的存储器件进行编程操作，以得到编程电流；

将编程电流和擦除电流经第一组场效应管和第二组场效应管镜像，以得到基准电流。

10.根据权利要求9所述的基准电流产生方法，其特征在于，所述第一组场效应管包括m个并联的场效应管，所述第二组场效应管包括n个并联的场效应管。