[发明专利]一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置有效
申请号: | 201810973772.1 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN108987452B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 宋莹莹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板的像素限定层,所述像素限定层限定的各像素区域具有长边和短边;其特征在于:
所述像素限定层在用于限定所述像素区域长边处的材料的接触角大于所述像素限定层在用于限定所述像素区域的短边处的材料的接触角。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素限定层在用于限定所述像素区域短边处的材料的接触角在40°~55°之间;
所述像素限定层在用于限定所述像素区域长边处的材料的接触角在45°~60°之间。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素限定层包括:
沿所述像素区域的长边方向延伸的第一像素限定部;
位于相邻的所述第一像素限定部之间且沿所述像素区域的短边方向延伸的第二像素限定部;
且所述第一像素限定部的接触角大于所述第二像素限定部的接触角。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素限定层包括:
沿所述像素区域的短边方向延伸的第一像素限定部;
位于相邻的所述第一像素限定部之间且沿所述像素区域的长边方向延伸的第二像素限定部;
且所述第一像素限定部的接触角小于所述第二像素限定部的接触角。
5.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素限定层的材料为含氟树脂或者为含疏水纳米粒子的材料。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素限定层的材料为聚酰亚胺材料与聚偏氟乙烯材料的混合物;
且在所述像素区域长边处所述混合物内聚偏氟乙烯材料的含量为15%~25%,在所述像素区域短边处所述混合物内聚偏氟乙烯材料的含量为10%~20%。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成用于限定像素区域的像素限定层的图形;其中,所述像素限定层限定的各像素区域具有长边和短边,且所述像素限定层在用于限定所述像素区域长边处的材料的接触角大于所述像素限定层在用于限定所述像素区域的短边处的材料的接触角。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在衬底基板上形成用于限定像素区域的像素限定层的图形,具体包括:
在衬底基板上形成第一材料膜层;
对所述第一材料膜层进行构图,形成多个条形的第一像素限定部;
在相邻的所述第一像素限定部之间形成间隔设置的多个第二像素限定部,且所述第二像素限定部将相邻的所述第一像素限定部之间的空间分隔为多个像素区域;并且,所述第一像素限定部沿所述像素区域的长边方向延伸,所述第二像素限定部沿所述像素区域的短边方向延伸,所述第一像素限定部的接触角大于所述第二像素限定部的接触角;或者所述第一像素限定部沿所述像素区域的短边方向延伸,所述第二像素限定部沿所述像素区域的长边方向延伸,所述第一像素限定部的接触角小于所述第二像素限定部的接触角。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,通过喷墨打印的方式在相邻的所述第一像素限定部之间形成间隔设置的多个第二像素限定部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的