[发明专利]光刻设备以及光刻方法

说明书

本公开提供一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器、一主激光发射器、以及一激光真空装置。标的发射器用以朝向激发腔内的一激发区域发射一标的。主激光发射器用以发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。激光真空装置用以发射一真空激光至至激发腔内，且以于激发腔内形成一真空通道。激光真空装置发射真空激光之后，标的发射器发射标的通过真空通道进入激发区域。本公开提供的光刻设备可增加主激光发射器击中标的的精准度。

技术领域

本公开主要关于一种半导体设备及方法，特别涉及一种光刻设备及方法。

背景技术

半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置基本上按序经由沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料至一晶圆、以及使用光刻技术图案化多种材料层来形成电路组件以及元件于其上而被制造。许多集成集成电路一般制造于一单一晶圆，且晶圆上个别的晶粒于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的晶粒基本上被分别的封装于一多芯片模块或是其他类型的封装。

由于半导体工艺的尺寸的小型化的要求，于光刻设备中采用了极紫外线作为曝光工艺中的光源，以使晶圆上的光刻胶形成适用于小于20nm半导体工艺的图案。

然而，虽然目前使用极紫外线作为曝光工艺中的光源的光刻设备符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供光刻设备的改进方案。

发明内容

本公开提供了一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器、一主激光发射器、以及一激光真空装置。标的发射器用以朝向激发腔内的一激发区域发射一标的。主激光发射器用以发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。激光真空装置用以发射一真空激光至激发腔内，且以于激发腔内形成一真空通道。激光真空装置发射真空激光之后，标的发射器发射标的通过真空通道进入激发区域。

本公开提供了一种光刻设备，包括一激光真空装置以及一标的发射器。激光真空装置用以大致沿一第一方向发射一真空激光至一激发腔内，以于激发腔内形成一真空通道。标的发射器用以沿第一方向发射一标的，其中标的通过真空通道至一激发区域。

本公开提供了一种光刻方法包括，经由一激光真空装置发射一真空激光至一激发腔内，以使激发腔内形成一真空通道；于发射真空激光后，经由一标的发射器发射一标的，且标的经由真空通道至一激发区域；以及经由一主激光发射器发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。

附图说明

图1为根据本公开的一些实施例的光刻设备的示意图。

图2为根据本公开的一些实施例的光刻方法的步骤流程图。

图3为根据本公开的一些实施例的光刻方法的时间图。

图4A以及图4B为根据本公开的一些实施例的光刻设备于光刻方法中的一中间阶段的示意图。

附图标记说明：

光刻设备1

光源装置10

曝光腔20

照明装置30

掩模装置40

掩模座41

光学投影装置50

反射镜51

晶圆座60

激发腔A10

光线通道A11

标的发射器A20

标的回收器A30

光线聚集器A50

通孔A51