[发明专利]一种复合电极及其制作方法、电池在审
| 申请号: | 201810953577.2 | 申请日: | 2018-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN110854355A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 范卫超;王俊明;孟垂舟;朱晓军;房金刚 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/1397;H01M4/136;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 周娟 |
| 地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合 电极 及其 制作方法 电池 | ||
1.一种复合电极的制作方法,其特征在于,包括:
提供过渡金属基底;
采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层。
2.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法,其特征在于,在所述提供过渡金属基底后,所述采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层前,所述复合电极的制作方法还包括:
对所述过渡金属基底进行酸洗,直到所述过渡金属基底的表面产生气泡。
3.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述过渡金属基底所含有的过渡金属与所述渡金属硫化物层所含有的过渡金属相同。
4.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物薄膜包括:
在无氧环境下向反应容器内通入硫化氢气体;
将所述过渡金属基底送入通入硫化氢气体的反应容器内;
控制所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面过渡金属原子发生反应,使得所述过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层。
5.根据权利要求4所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述硫化氢气体的流速为50mL/min-150mL/min。
6.根据权利要求4所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述控制所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面过渡金属原子发生反应,使得所述过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层包括:
控制所述反应容器将所述过渡金属基底加热至400℃~700℃;
所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面所含有的过渡金属原子在400℃~700℃进行反应,获得形成在所述过渡金属基底的表面的过渡金属硫化物层;
将表面形成过渡金属硫化物层的所述过渡金属基底进行真空干燥。
7.根据权利要求6所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述控制所述反应容器将所述过渡金属基底加热至400℃~700℃包括:
控制所述反应容器将所述过渡金属基底按照200℃/h~600℃/h的升温速率升温至400℃~700℃。
8.根据权利要求1~7任一项所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述过渡金属基底为泡沫型过渡金属基底,所述泡沫型过渡金属基底的孔隙率为20%~97%。
9.根据权利要求1~7任一项所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述过渡金属基底所含有的过渡金属为镍、钴、铁、铜中的一种或多种,所述过渡金属硫化物层所含有的过渡金属为镍、钴、铁、铜中的一种或多种。
10.根据权利要求1~7任一项所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层后,所述复合电极的制作方法还包括:
至少对所述过渡金属基底的表面所形成的过渡金属硫化物层进行防腐蚀包覆处理,使得至少所述过渡金属硫化物层的表面形成防腐蚀层,所述防腐蚀层的材料为导电防腐蚀材料。
11.根据权利要求10所述的复合电极的制作方法,其特征在于,所述至少对所述过渡金属基底的表面所形成的过渡金属硫化物层进行防腐蚀包覆处理包括:
将表面形成过渡金属硫化物层的所述过渡金属基底放入防腐蚀材料分散液中搅拌,使得所述防腐蚀材料分散液所含有的防腐蚀材料至少附着在所述过渡金属硫化物层的表面,获得复合电极预制体;所述防腐蚀材料分散液的浓度为0.1mg/L~500mg/L;
对所述复合电极预制体进行真空干燥;
在空气氛围下将干燥后的所述复合电极预制体在100℃~300℃进行加热,使得所述复合电极中的防腐蚀材料烧结在过渡金属硫化物层的表面,获得复合电极;
将所述复合电极压平。
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