[发明专利]半导体图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体图像传感器，其包括：

第一光感测层，其包括多个第一感测装置；

第二光感测层，其包括多个第二感测装置；

第一互连结构，其夹置于所述第一光感测层与所述第二光感测层之间；

第二互连结构；

第一逻辑装置，其介于所述第一光感测层与所述第一互连结构之间；以及

第二逻辑装置，其介于所述第二光感测层与所述第二互连结构之间，

其中所述第二光感测层介于所述第一逻辑装置与所述第二逻辑装置之间。

2.根据权利要求1所述的半导体图像传感器，其进一步包括夹置于所述第一互连结构与所述第二光感测层之间的多个介电质光栅图案。

3.根据权利要求1所述的半导体图像传感器，其进一步包括放置于所述第一互连结构与所述第二感测层之间的至少一个经接合结构。

4.根据权利要求3所述的半导体图像传感器，其进一步包括穿透所述第二光感测层的至少一个导体，且所述导体电连接到所述经接合结构。

5.一种半导体图像传感器，其包括：

第一衬底，其包括第一前侧及与所述第一前侧相对的第一后侧，且所述第一衬底包括多个第一感测装置；

第一互连结构，其放置于所述第一衬底的所述第一前侧上方；

第二衬底，其包括第二前侧及与所述第二前侧相对的第二后侧，且所述第二衬底包括多个第二感测装置；

第二互连结构，其放置于所述第二衬底的所述第二前侧上方；

第三衬底，其包括第三前侧及与所述第三前侧相对的第三后侧；以及

第三互连结构，其放置于所述第三衬底的所述第三前侧上方，

其中所述第二衬底的所述第二后侧面向所述第一衬底的所述第一前侧，且所述第二衬底的所述第二前侧面向所述第三衬底的所述第三前侧。

6.根据权利要求5所述的半导体图像传感器，其中所述第一衬底进一步包括放置于所述第一后侧上方的多个光学结构，且所述第二衬底进一步包括放置于所述第二后侧上方的绝缘结构。

7.根据权利要求5所述的半导体图像传感器，其进一步包括介于第一互连结构与所述第二衬底之间的至少一个第一经接合结构，及介于所述第二互连结构与所述第三互连结构之间的至少一个第二经接合结构。

8.根据权利要求7所述的半导体图像传感器，其进一步包括电连接所述第一经接合结构与所述第二互连结构的导体。

9.一种用于形成半导体图像传感器的方法，其包括：

提供第一衬底，所述第一衬底包括第一前侧及与所述第一前侧相对的第一后侧，所述第一衬底包括多个第一感测装置；

将所述第一衬底接合到第二衬底，所述第二衬底包括第二前侧及与所述第二前侧相对的第二后侧，其中所述第一前侧面向所述第二前侧；

将绝缘结构放置于所述第一衬底的所述第一后侧上方，其中所述绝缘结构包括多个介电质光栅图案；以及

将所述第一衬底接合到第三衬底，所述第三衬底包括第三前侧及与所述第三前侧相对的第三后侧，其中所述第一后侧面向所述第三前侧，所述第三衬底包括多个第二感测装置。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将多个光学结构放置于所述第三衬底的所述第三后侧上方。