[发明专利]晶片处理方法、辅助控制器和晶片处理系统

说明书

本发明提供一种晶片处理方法，包括：步骤S1，对承载于基座上的所述晶片加热至预定温度；步骤S2，升针，使所述晶片离开所述基座表面；步骤S3，判断预定时间内是否接收到取片信号，如是，则执行取片操作；如否，降针，使所述晶片承载于所述基座表面，并再次顺序执行步骤S1‑S3。本发明还提供一种用于晶片处理的辅助控制器和一种晶片处理系统。利用所述晶片处理方法可以确保晶片在经过所述晶片处理方法后进入到下一道工艺时处于合适的温度。

技术领域

本发明设计半导体加工技术领域，更具体地，涉及一种晶片处理方法、辅助控制器和晶片处理系统。

背景技术

在半导体加工技术领域，例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等工艺可实现在晶片表面形成各种薄膜。而在对晶片进行具体的沉积工艺时，首先需要在加热腔(也叫去气腔)中将晶片加热至300℃左右，以去除晶片上的水蒸气以及其他易挥发杂质。之后将晶片转运到沉积工艺腔中进行诸如钛(Ti)的沉积。在停止对晶片进行加热到晶片被转运至后续工艺腔(例如沉积工艺腔)，等待时间不能过长，否则晶片温度下降导致后续工艺结果无法满足规格要求。

现有的工艺过程是通过大气机械手(ATR)将晶片从装载港(LP，LoadPort)传送至装载锁定腔(LoadLock)，真空机械手(VTR)将晶片从装载锁定腔取出，传入加热腔，然后VTR将晶片从加热腔取出后传入沉积工艺腔。

一般情况下，晶片在加热腔内完成工艺后，很快便会被传送至下一工艺腔。但是，诸如沉积工艺腔在完成一定数量晶片的沉积作业后，需要停止晶片的传送，进行沉积工艺腔的清洗。现有的技术是沉积工艺腔进行清洗作业时，不接受晶片。晶片在加热完停止加热后便一直等待。直至沉积工艺腔完成清洗后接收该晶片。由于等待时间过长，可能造成晶片温度降低，从而影响沉积工艺的品质。

发明内容

本发明提供一种晶片处理方法、辅助控制器和晶片处理系统，以解决上述现有技术中存在的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的第一方面，提供一种晶片处理方法，其中，所述晶片处理方法包括：

步骤S1，对承载于基座上的晶片加热至预定温度；

步骤S2，升针，使所述晶片离开所述基座的表面；

步骤S3，判断预定时间内是否接收到取片信号，如是，则执行取片操作；如否，降针，使所述晶片承载于所述基座的表面，并再次顺序执行步骤S1-S3。

优选地，所述步骤S1包括：

步骤S11，将所述晶片设置在所述基座上，以利用所述基座对所述晶片加热；

步骤S12，向所述晶片所在的处理腔内通入导热气体；

步骤S13，当所述晶片的温度达到所述预定温度后，停止通入所述导热气体。

优选地，在所述步骤S1之前还包括：

将所述晶片放置在支撑针上；

降针，使所述晶片接触所述基座的表面。

优选地，在所述步骤S3之后还包括：

步骤S4，将所述晶片传送至目标腔室。

优选地，所述目标腔室包括沉积工艺腔室。

作为本发明的第二个方面，提供一种用于晶片处理的辅助控制器，其中，所述辅助控制器包括：

加热控制单元，所述加热控制单元用于在晶片位于基座上时控制加热模块将基座上的晶片加热至预定温度；

支撑针控制单元，所述支撑针控制单元用于在所述晶片达到预定温度后控制所述支撑针升起，并且所述支撑针控制单元还用于在控制所述支撑针升起后的预定时间内未接收到取片信号时控制所述支撑针降落。