[发明专利]一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法

说明书

本发明提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。本发明可以通过薄膜沉积及退火工艺简单有效的改善金属污染，不涉及其它影响，本发明降低CIS器件的白色像素，减少CIS器件的暗电流，且不影响其它参数。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法。

背景技术

自上世纪60年代末期美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后,固体图像传感器便得到了迅速发展,成为传感技术中的一个重要分支。它是个人计算机多媒体不可缺少的外设,也是监控设备中的核心器件。近年来,由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CIS(CMOS IMAGE SENSOR，互补金属氧化物半导体图像传感器)，即CMOS图像传感器因其固有的诸如像元内放大、列并行结构,集成度高、采用单电源和低电压供电、成本低和技术门槛低等特点得到更广泛地应用。并且，低成本、单芯片、功耗低和设计简单等优点使CIS在保安监视系统、可视电话、可拍照手机、玩具、汽车和医疗电子等低端像素产品领域中大出风头。

WP(White Pixel，白色像素)是指在无光照条件下CIS器件输出的DN值>64的像素数量，它是评估CIS器件性能的一个重要指标，直接反应器件成像质量。因此，提高CIS器件WP性能，即降低WP Count(白色像素点)是CIS器件制造工艺的一个长期目标。

现有工艺采用的TEOS和的SRO(Silicon Rich Oxide,富硅氧化物)作为SAB(Salicide Block，自对准硅化物区域阻挡层)阻挡层，并且在SAB薄膜沉积后无退火处理，在原有制程中WP Count中值在370DPPM左右,WP Wafer Edge(晶元边缘)高值易造成良率失效。

发明内容

本发明提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，改善金属污染问题，从而提高CIS器件稳定性，降低白色像素。

为了达到上述目的，本发明提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：

进行N/P型源漏极离子注入处理；

进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；

进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；

进行后续接触孔制程。

进一步的，所述氧化物层为TEOS氧化物层。

进一步的，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。

进一步的，所述氧化物层的厚度为130埃。

进一步的，所述源漏极热处理采用快速加热退火处理。

进一步的，所述源漏极热处理的温度为1050℃。

进一步的，所述氮化物层采用空阴极高密度等离子体制备。

进一步的，所述氮化物层的厚度为270埃。

进一步的，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的温度为650℃。

进一步的，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的时间为60分钟。