[发明专利]一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法在审
| 申请号： | 201810897223.0 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109065556A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 范洋洋;王明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制程 白色像素 自对准硅化物区域 源漏极 阻挡层 沉积氮化物 沉积氧化物 热处理 薄膜沉积 金属污染 退火处理 退火工艺 暗电流 接触孔 离子 优化 | ||
1.一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，包括下列步骤：
进行N/P型源漏极离子注入处理；
进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；
进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；
进行后续接触孔制程。
2.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层为TEOS氧化物层。
3.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。
4.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为130埃。
5.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述源漏极热处理采用快速加热退火处理。
6.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述源漏极热处理的温度为1050℃。
7.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氮化物层采用空阴极高密度等离子体制备。
8.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氮化物层的厚度为270埃。
9.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的温度为650℃。
10.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的时间为60分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
