[发明专利]电子装置及其制备方法在审
申请号: | 201810876651.5 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN110797298A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 许博云;高克毅;曾嘉平 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 张宇园 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 第一表面 接触孔 金属层 透明导电层 电子装置 基板 制备 金属层电性 溶液清洗 暴露 刻蚀 | ||
本发明提供一种电子装置及其制备方法,其中,电子装置的制备方法包括下列步骤:提供基板;形成金属层于基板上,金属层具有第一表面;形成第一绝缘层于金属层上;形成第二绝缘层于第一绝缘层上;刻蚀第一绝缘层与第二绝缘层以形成接触孔,且接触孔暴露部分的第一表面;用溶液清洗接触孔所暴露的部分的第一表面;以及形成透明导电层于第二绝缘层上,且透明导电层与金属层电性连接。
技术领域
本发明涉及一种电子装置及其制备方法,尤其涉及一种通过刻蚀法所形成的电子装置及其制备方法。
背景技术
随着显示设备技术不断进步,显示面板均朝向体积小、厚度薄、或重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示设备已朝向轻薄类型显示设备发展。其中,轻薄类型显示器可应用的领域相当多,举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等都有使用。
在显示设备中,常需要图案化绝缘材料层以形成接触孔,以将绝缘材料层上的透明导电层与有机材料层下的金属层透过接触孔而电性连接。然而,对绝缘材料层进行图案化时,容易使污染物沾附在金属层表面、或使接触孔所暴露的金属层氧化,此时,会造成透明导电层与金属层的阻抗上升,甚至产生透明导电层剥离的情形。
有鉴于此,目前亟需改善图案化绝缘材料层的工艺,以避免前述的问题产生。
发明内容
本发明提供一种电子装置的制备方法,包括下列步骤:提供基板;形成金属层于基板上,其中金属层具有第一表面;形成第一绝缘层于金属层的第一表面上;形成第二绝缘层于第一绝缘层上;刻蚀第一绝缘层与第二绝缘层以形成接触孔,且接触孔暴露部分的第一表面;以溶液清洗接触孔所暴露的部分的第一表面;以及形成透明导电层于第二绝缘层上,且透明导电层与金属层电性连接。
本发明提供一种电子装置,包括:基板、金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、接触孔、透明导电层、及凹口。金属层设于基板上,金属层具有第一表面;第一绝缘层设于金属层的第一表面上;第二绝缘层设于第一绝缘层上;接触孔穿过第一绝缘层及第二绝缘层且暴露金属层的部分第一表面;凹口邻近金属层与第一绝缘层的交界处;以及透明导电层设于第二绝缘层上且与金属层电性连接;凹口的长度与透明导电层的厚度的比例介于0.01至0.2之间。
附图说明
图1A至图1D为本发明一实施例的电子装置的制备流程的剖面示意图;
图2为图1D的虚线圆区域的部分放大图。
图中:
基板 11 金属层 12 第一表面 121 氧化物层 122
表面 1212 侧壁 1211 第一绝缘层 13 第二表面 131
侧面 132 第二绝缘层 14 残留物层 141 接触孔 15
透明导电层 16 凹口 A 底切结构 A1 深度 D
长度 L 第一交点 P1 第二交点 P2 厚度 T
具体实施方式
以下是通过具体实施例说明本发明的实施方式,熟习此技艺的人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用,在不脱离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
其次,本发明中所使用的序数例如“第一”、“第二”等用词,以修饰本申请所涉及的组件,其本身并不意味及代表该请求组件有任何之前的序数,也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序,这些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810876651.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造