[发明专利]显示面板及其控制方法和显示装置有效
申请号: | 201810861837.3 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN108987451B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 方正;刘玉杰;祝明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G02F1/153 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 控制 方法 显示装置 | ||
本发明提供了显示面板及其控制方法和显示装置。所述显示面板包括:衬底,衬底的一个表面上设置有多个像素区域;多个OLED器件,多个OLED器件一一对应设置在像素区域的有效透光区中;彩膜层,彩膜层设置在OLED器件出光方向的一侧,彩膜层包括多个彩色滤光片,每个彩色滤光片在衬底上的正投影覆盖一个有效透光区在衬底上的正投影;多个电致变色层,多个电致变色层设置在彩膜层远离和/或靠近OLED器件的一侧,且每个电致变色层在衬底上的正投影覆盖一个像素区域中未被黑矩阵覆盖的区域在衬底上的正投影。由此,该显示面板中环境光的反射率较低,画面对比度较高。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及显示面板及其控制方法和显示装置。
背景技术
随着液晶显示技术的飞速发展,OLED(有机发光二极管)产品的开发日新月异,作为OLED显示面板的方案之一的COE(CF on EL,有机发光层上制作彩膜)技术越来越被重视,COE技术是指在OLED器件出光方向的封装薄膜层或平坦层上直接形成包括黑矩阵(BM)和与其同层设置的彩色滤光片(CF),比如针对顶发射的显示面板,就是直接在经过封装的OLED器件上通过光刻形成彩色滤光片。上述技术方案取消了现有OLED器件的圆偏光片,当用于柔性显示器时,可以很好地实现OLED器件的弯折柔性特性,同时因为BM和CF彩膜对环境光的吸收作用,可以取消掉原本OLED显示面板中用来消除环境光的圆偏光片,在保证环境光反射率水平一致的情况下提升OLED器件的出光利用率,使其出光利用率由42%提升到57%。但是为了追求更好显示效果,仍需更进一步的消除环境光,降低环境光的反射率,提升OLED器件的出光利用率。
因此,关于显示面板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种具有环境光反射率低、出光利用率高、开口率高、功耗低、显示画面佳或使用寿命长等优点的显示面板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例,所述显示面板包括:衬底,所述衬底的一个表面上设置有多个像素区域;多个OLED器件,多个所述OLED器件一一对应设置在所述像素区域的有效透光区中;彩膜层,所述彩膜层设置在所述OLED器件出光方向的一侧,所述彩膜层包括多个彩色滤光片,每个所述彩色滤光片在所述衬底上的正投影覆盖一个所述有效透光区在所述衬底上的正投影;多个电致变色层,多个所述电致变色层设置在所述彩膜层远离和/或靠近所述OLED器件的一侧,且每个所述电致变色层在所述衬底上的正投影覆盖一个所述像素区域中未被黑矩阵覆盖的区域在所述衬底上的正投影。由此,针对每个像素区域,当像素区域中OLED器件处于发光状态时,控制电致变色层为无色透明状态,使得OLED器件发出的光射出,显示画面;当像素区域中的OLED器件处于非发光状态时,控制电致变色层呈黑色,可以充当黑矩阵的作用,用于吸收该像素区域中有效透光区内的环境光,进而降低环境光的反射率,提高画面对比度。
根据本发明的实施例,所述黑矩阵和所述彩膜层同层设置,所述黑矩阵限定出多个开口,多个所述彩色滤光片对应设置在多个所述开口中,每个所述电致变色层在所述衬底上的正投影与一个所述开口在所述衬底上的正投影重叠。
根据本发明的实施例,所述显示面板未设置所述黑矩阵,且每个所述电致变色层在所述衬底上的正投影覆盖一个所述像素区域在所述衬底上的正投影。
根据本发明的实施例,每个所述电致变色层包括:第一子电致变色层,所述第一子电致变色层在所述衬底上的正投影与所述有效透光区在所述衬底上的正投影重叠;第二子电致变色层,所述第二子电致变色层在所述衬底上的正投影与一个所述像素区域的非透光区在所述衬底上的正投影重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的