[发明专利]存储器控制器及其操作方法在审
申请号: | 201810844392.8 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109753455A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 申东才 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理地址 存储器控制器 缓存 半导体存储器装置 命令控制单元 处理单元 主机接收命令 页面缓冲器 缓存数据 临时存储 逻辑地址 转换逻辑 转换命令 | ||
本发明提供一种存储器控制器及其操作方法。存储器控制器控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元和命令控制单元。处理单元从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址,并且通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。命令控制单元临时存储缓存物理地址,该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据,并且通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年11月8日提交的申请号为10-2017-0148125的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种存储器控制器以及存操作储器控制器的方法。
背景技术
存储器装置可以具有二维(2D)结构,其中串水平地布置在半导体衬底上。可选地,存储器装置可以具有三维(3D)结构,其中串垂直地堆叠在半导体衬底上。随着2D结构正在达到其集成极限,半导体制造商正在生产包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元的3D存储器装置。
发明内容
本公开的各个实施例涉及一种具有改进的可靠性的存储器控制器。
本公开的各个实施例涉及一种具有改进的可靠性的存储器控制器的操作方法。
本公开的实施例可以提供一种存储器控制器。根据本公开的实施例的存储器控制器可以控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元和命令控制单元。处理单元可以从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址,并且可以通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。命令控制单元可以临时存储缓存物理地址,该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据,并且可以通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。
在实施例中,命令控制单元可以包括命令队列、页面缓冲器记录单元和命令转换单元。命令队列可以临时存储命令和命令物理地址。页面缓冲器记录单元可以临时存储缓存物理地址。命令转换单元可以从页面缓冲器记录单元接收缓存物理地址,将缓存物理地址与命令物理地址进行比较,并且基于比较的结果转换命令。
在实施例中,命令可以包括数据读取命令和数据输出命令。进一步地,当缓存物理地址与命令物理地址相同时,命令转换单元可以通过从命令删除数据读取命令来转换命令。
本公开的实施例可以提供一种存储器系统。根据本公开的实施例的存储器控制器可以控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元、页面缓冲器记录单元和命令控制单元。处理单元可以从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址,并且可以通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。页面缓冲器记录单元可以临时存储缓存物理地址,该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据。命令控制单元可以通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。
在实施例中,命令控制单元可以包括命令队列和命令转换单元。命令队列可以临时存储命令和命令物理地址。命令转换单元可以从页面缓冲器记录单元接收缓存物理地址,将缓存物理地址与命令物理地址进行比较,并且基于比较的结果转换命令。
本公开的实施例可以提供一种操作存储器控制器的方法。通过根据本公开的实施例的存储器控制器的操作方法,可以控制半导体存储器装置。存储器控制器的操作方法可以包括:从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址;接收缓存物理地址,该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据;将对应于逻辑地址的命令物理地址与缓存物理地址进行比较;以及基于比较的结果转换命令。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。
图2是示出图1的半导体存储器装置的框图。
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