[发明专利]制造设施及制造设施中的错误测量方法

说明书

本公开部分实施例提供一种制造设施及制造设施中的错误测量方法。上述方法包括将一晶片移入至一加工槽，并在一既定时间后将晶片自加工槽移除。上述方法还包括发射一声波能量至加工槽，并根据自加工槽所回送的声波能量产生一测量声波数据。上述方法也包括比较测量声波数据与一期望声波数据，当测量声波数据与期望声波数据不一致时触发一警讯。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种半导体制造设施及其制造系统的错误测量方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、行动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。在集成电路的材料及其设计上的技术进步已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。

在半导体装置的制造中，多种制造工具是依序被使用，以制造集成电路在半导体晶片之上。举例而言，半导体装置通过多种湿式化学加工操作而形成在半导体晶片之上。湿式化学加工(wet chemical process)可包括清洗工艺或蚀刻工艺，在上述湿式化学加工中，在化学溶液槽内的化学溶液与晶片上希望移除或蚀刻的材料进行反应。

虽然已有多个对于湿式化学加工的方法的改进被提出，但它们在所有方面并不完全令人满意。因此，提供湿式化学加工的改进方案以减轻或避免由于加工槽中因错误产生而导致晶片报废的状况即被需求。

发明内容

本公开部分实施例提供一种制造设施中的错误测量方法。上述方法包括将一晶片移入至一加工槽，并在一既定时间后将晶片自加工槽移除。上述方法还包括发射一声波能量至加工槽，并根据自加工槽所回送的声波能量产生一测量声波数据。上述方法也包括比较测量声波数据与一期望声波数据，当测量声波数据与期望声波数据不一致时触发一警讯。

本公开部分实施例提供一种制造设施。上述制造设施包括配置用于装载一化学溶液的一加工槽。上述制造设施还包括一测量工具。测量工具是配置用于发射一声波能量至加工槽并根据自加工槽所回送的声波能量产生一测量声波数据。上述制造设施也包括一错误测量及分类系统。错误测量及分类系统配置用于比较测量声波数据与一期望声波数据，并在当测量声波数据与期望声波数据不一致时触发一警讯。

附图说明

图1显示根据一些实施例的一制造设施的方块图。

图2显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的示意图。

图3显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的示意图。

图4显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的示意图。

图5显示根据一些实施例中在一制造设施中执行错误测量的一方法的简化流程图。

图6A显示根据一些实施例中在一制造设施执行一加工程序的示意图，其中一晶片通过一传送组件移动至一加工槽上方。

图6B显示根据一些实施例中在一制造设施执行一加工程序的示意图，其中一晶片通过一传送组件移动至一加工槽当中。

图6C显示根据一些实施例中在一制造设施执行一加工程序的示意图，其中一晶片放置于一加工槽当中进行加工且一传送组件停放于加工槽上方。

图6D显示根据一些实施例中在一制造设施执行一加工程序的示意图，其中一晶片通过一传送组件移出一加工槽。

图6E显示根据一些实施例中在一制造设施执行一加工程序的示意图，其中一晶片通过一传送组件自一加工槽移出后并移动至加工槽上方。

附图标记说明：