[发明专利]形成栅极接触点的导电间隔物的方法以及所得装置

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底的第一区域上方形成第一栅极结构；

形成邻近该第一栅极结构的第一侧壁间隔物；

形成邻近该第一侧壁间隔物的第一介电层；

凹入该第一栅极结构及该第一侧壁间隔物，以定义第一栅极接触空腔；

在该第一栅极接触空腔中形成第二侧壁间隔物；

在该第一栅极接触空腔中形成第一导电栅极接触点；

在形成该第一导电栅极接触点以后，移除该第二侧壁间隔物，以暴露该第一侧壁间隔物的上表面且在该第一介电层与该第一导电栅极接触点之间定义第一间隔物空腔；以及

在该第一间隔物空腔中形成导电材料，以形成接触该第一导电栅极接触点及该第一侧壁间隔物的该上表面的第一导电间隔物，其中，在形成该导电材料以后，该第一侧壁间隔物覆盖该第一栅极结构的整个侧壁，使得该第一导电间隔物接触第一源极/漏极接触点。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在该第一栅极接触空腔中形成第一栅极覆盖层；

在该第一栅极覆盖层上方形成第二介电层；

在该第二介电层中形成第二栅极接触空腔，从而暴露该第一栅极覆盖层；

移除该第一栅极覆盖层；以及

在移除该第一栅极覆盖层以后，形成该第一导电栅极接触点。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成该第一导电栅极接触点还包括在该第一栅极接触空腔及该第二栅极接触空腔中形成该第一导电栅极接触点，且该方法还包括：

凹入该第一导电栅极接触点，以暴露至少一部分的该第二侧壁间隔物；以及

在凹入该第一导电栅极接触点以后，移除该第二侧壁间隔物。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：

在该第一导电栅极接触点及该第一导电间隔物上方形成第三介电层；以及

在该第三介电层中形成接触该第一导电栅极接触点的第二导电栅极接触点。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该第二导电栅极接触点接触至少一部分的该第一导电间隔物。

6.如权利要求3所述的方法，还包括：

形成邻近该第一栅极结构的第一源极/漏极区；以及

形成接触该第一源极/漏极区的该第一源极/漏极接触点。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在该第一栅极结构上方形成该第一介电层；以及

在凹入该第一栅极结构及该第一侧壁间隔物之前，平坦化该第一介电层以暴露该第一栅极结构及该第一侧壁间隔物，其中，该第一栅极接触空腔定义于该第一介电层中。

8.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底上方形成多个栅极结构；

邻近各该多个栅极结构形成第一侧壁间隔物；

形成邻近该第一侧壁间隔物的第一介电层；

凹入该多个栅极结构及该第一侧壁间隔物，以定义第一栅极接触空腔；

在该第一栅极接触空腔中形成第二侧壁间隔物；

在该第一栅极接触空腔中形成第一导电栅极接触点；

在该多个栅极结构的第一子集上方形成掩膜层；

在形成该第一导电栅极接触点以后，移除未被该掩膜层覆盖的该多个栅极结构的第二子集的该第二侧壁间隔物，以暴露该第一侧壁间隔物的上表面且在该第一介电层与该第一导电栅极接触点之间定义第一间隔物空腔；以及

在该第一间隔物空腔中形成导电材料，以形成接触该多个栅极结构的该第二子集的该第一导电栅极接触点及该第一侧壁间隔物的该上表面的第一导电间隔物，其中，在形成该导电材料以后，该第一侧壁间隔物覆盖该多个栅极结构的整个侧壁，使得该多个栅极结构的该第二子集中的该第一导电间隔物接触第一源极/漏极接触点。