[发明专利]一种功率器件

说明书

本发明涉及一种功率器件，包括有源区、分压区以及截止环区，所述分压区包括至少一个第一导电类型的分压环，所述截止环区设置于所述分压环外围，所述分压环具有至少一个拐角，所述截止环区具有与所述分压环的拐角一一对应的至少一个外拐角，所述截止环区内形成有超结结构，所述超结结构包括第一导电类型的第一注入区以及第二导电类型的第二注入区，所述第一注入区自所述分压环的外围拐角延伸至所述截止环区对应的拐角，所述第二注入区包括第一部分以及第二部分，所述第一部分跟第二部分分别形成于所述第一注入区的两侧并与所述第一注入区连接，所述第一注入区及第二注入区的一端共同覆盖所述第一分压环的拐角区域。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种功率器件。

背景技术

功率器件在实际应用中，当处于反向偏压下，主要靠分压环承担电压，由于分压环为圈状结构，实际电场最强的地方位于分压环的拐角处。因此，器件分压环在设计时，在分压环拐角位置通常会设置较大的曲率半径，以便获得较好的电场曲率，降低击穿电场，从而提高器件整体的击穿电压，但越大的曲率半径，分压环所占芯片面积的比率越大，特别是对于直角划片道来说，拐角处面积的浪费就不可避免。

发明内容

本发明实施例提供了一种功率器件，包括有源区、分压区以及截止环区，所述分压区设置于所述有源区的外围，所述截止环区设置于所述分压区的外围，所述分压区包括至少一个第一导电类型的分压环，所述截止环区设置于所述分压环外围，所述分压环具有至少一个拐角，所述截止环区具有与所述分压环的拐角一一对应的至少一个外拐角，所述截止环区内形成有超结结构，所述超结结构包括第一导电类型的第一注入区以及第二导电类型的第二注入区，所述第一注入区自所述分压环的外围拐角延伸至所述截止环区对应的拐角，所述第二注入区包括第一部分以及第二部分，所述第一部分跟第二部分分别形成于所述第一注入区的两侧并与所述第一注入区连接，所述第一注入区、所述第一部分及所述第二部分的一端共同覆盖所述第一分压环的拐角区域，所述第一注入区、所述第一部分及所述第二部分的另一端延伸至所述截止环区对应的外拐角。

可以理解，本发明通过在所述分压环的拐角处引入所述超结结构，来承担拐角处更强的电场，可以实现在降低分压环曲率半径的同时，提高器件的反向耐压，使器件的耐压不会受到分压环曲率半径降低的影响，进而避免了器件在分压环拐角处面积的浪费，进一步的提高器件有源区占芯片面积的比率，从而提高器件整体的击穿电压。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

构成本发明的一部分附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明书用于解释本发明，并不构成对不让你发明的不当限定。

图1是本发明实施例提出的功率器件的局部区域示意图；

图2是提出的功率器件的俯视图；

图3是提出的功率器件的剖面结构示意图；

附图标记说明：1、有源区；2、分压区；21、分压环；3、截止环区；4、划片道区；5、第一注入区；6、第二注入区；61、第一部分；62、第二部分。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。