[发明专利]一种生产高基频石英晶体片的加工方法

说明书

本发明涉及一种生产高基频石英晶体片的加工方法，包括以下步骤：1）镀膜：将基频22MHz的晶片放入电极板中，进行两次晶片表面镀膜；2）清洗：将镀膜后的晶片放入清洗治具中，进行清洗；3）腐蚀：将装有晶片的清洗治具整体放入酸罐中，进行腐蚀；4）膜层剥离：剥离晶片表面膜层，得到高基频晶片。优点：1）采用全新的晶片生产流程，解决了传统晶片加工无法研磨到200‑240MHz等高基频晶片的问题。2）操作简单，方法独特、生产成本低。3）本发明技术方案所得高基频晶片比利用水晶片倍频技术或IC倍频技术生产的晶片，有更好的相位噪声、更小的抖动值及良好的短稳特性等。

技术领域

本发明是一种生产高基频石英晶体片的加工方法，属于石英电子元件技术领域。

背景技术

随着电子信息技术的高速发展，频率元件的对基频的需求越来越高。高端电子产品需求达到了基频200MHz以上的水平，目前通过传统的研磨方法生产的基频频率最高达到70MHz，如此高频率的基频片按照现有晶片生产方法，无法做到，如何生产出200MHz以上的基频晶片，对石英晶片的基频生产提出了最具挑战性的要求。

发明内容

本发明提出的是一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其目的在于针对现有技术中传统晶片加工方法中高基频片太薄、无法研磨到200-240MHz等高基频晶片、以及普通方法容易导致晶片表面不平、腐蚀隧道的缺陷，提出了一种通过对晶片局部进行频率处理，生产具有良好相位噪声、短稳特性、低抖动值的200MHz-240MHz高频基频晶片的加工方法。

本发明的技术解决方案：一种生产高基频石英晶体片的加工方法，包括以下步骤：

1）镀膜：将基频22MHz的晶片1放入电极板2中，进行两次晶片表面镀膜；

2）清洗：将镀膜后的晶片放入清洗治具4中，进行清洗；

3）腐蚀：将装有晶片的清洗治具4整体放入酸罐5中，进行腐蚀；

4）膜层剥离：剥离晶片表面膜层，得到高基频晶片6。

本发明的有益效果：

1）采用全新的晶片生产流程，解决了传统晶片加工无法研磨到200-240MHz等高基频晶片的问题。

2）操作简单，方法独特、生产成本低。

3）本发明技术方案所得高基频晶片比利用水晶片倍频技术或IC倍频技术生产的晶片，有更好的相位噪声、更小的抖动值及良好的短稳特性等。

附图说明

附图1是22MHz基频晶片平面图。

附图2是A镀膜电极板示意图。

附图3是B镀膜电极板示意图。

附图4是清洗治具示意图。

附图5是酸罐示意图。

附图6是晶片在酸罐中腐蚀的示意图。

附图7是最终高基频晶片平面图。

图中1是晶片、2是电极板、3是膜层、4是清洗治具、5是酸罐、7是高基频晶片、4-a是石英晶体片载盘、4-b是导杆、4-c是挡捎、4-d是螺丝、5-a是磁力搅拌转子、5-b是磁力搅拌器、5-c是酸罐、5-d酸罐盖是、A是晶片长度、B是晶片宽度、C 晶片频率为200MHz-240MHz区域。

图2中a是晶片定位板，b是镀膜装置限位槽放大图，c是镀膜电极上下板，d是一次镀膜后晶片表面金层分布图形。

图3中a是晶片定位板，b是镀膜装置限位槽放大图，c是镀膜电极上下板，d是二次镀膜后晶片表面金层分布图形。

具体实施方式