[发明专利]一种生产高基频石英晶体片的加工方法

权利要求书

1.一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是包括以下步骤：

1）镀膜：将基频22MHz的晶片放入镀膜治具中，进行两次晶片表面镀膜；

2）清洗：将镀膜后的晶片放入清洗治具中,进行清洗；

3）腐蚀：将装有晶片的清洗治具整体放入酸罐中，进行腐蚀；

4）膜层剥离：剥离晶片表面膜层，得到高基频晶片。

2.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤1）镀膜中，所述镀膜治具包括A板镀膜治具和B板镀膜治具，分别将晶片放入A板镀膜治具和B板镀膜治具中进行两次镀膜，A板镀膜治具一次镀膜后晶片表面形成横线，再放入B板镀膜治具中，使晶片中心横线与B板镀膜治具下电极板中的横线位置重合，完成两次晶片表面镀膜，镀膜速度为1800pps，两次镀膜过程晶片两面中心局部区域中心保持同心等高。

3.根据权利要求2所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述A板镀膜治具包括A晶片定位板、A镀膜电极下底板和A镀膜电极上盖板，上下板相同，其中A晶片定位板具有若干晶片限位槽，镀膜前将晶片码入槽孔中；A镀膜电极下底板具有与A晶片定位板上限位槽对应的镂空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方为晶片下表面提供镀膜电极；A镀膜电极上盖板具有与A晶片定位板限位槽和A镀膜电极下底板上镂空电极对应的镂空及掩膜部分，以固定晶片并为晶片上表面提供镀膜电极, 将晶片放在A镀膜电极下底板上，盖上晶片定位板，进行一次镀膜。

4.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤1）镀膜中，所镀膜层为金层。

5.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤2）清洗：将镀膜后的晶片延着清洗治具的孔长轴方向竖直放入清洗治具中，将清洗治具依次放入ALCONOX清洗剂溶液和去离子水中超声清洗，随后将清洗治具放入甩干机中甩干，完成清洗。

6.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤2）清洗中，所述清洗治具包括两个相同的石英晶体片载盘（4-a），每个载盘上设有多个槽孔，导杆（4-b）穿过石英晶体片载盘，将晶片放入槽孔中，将挡捎（4-c）插入导杆中，用螺丝（4-d）旋紧进行固定，使挡捎、导杆与石英晶体片载盘固定不晃动。

7.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤3）腐蚀：将清洗治具4整体放入装有晶格腐蚀酸的酸罐5中进行腐蚀，所述酸罐5包括磁力搅拌转子（5-a），磁力搅拌器（5-b），酸罐（5-c），酸罐盖（5-d），腐蚀温度为22±2℃，腐蚀速率为50-70 微英寸/小时；腐蚀过程中进行频率抽测，当达到所需频率要求时，取出清洗治具，用去离子水清洗。

8.根据权利要求1所述的一种生产高基频石英晶体片的加工方法，其特征是所述步骤4）膜层剥离，包括如下工艺步骤：

a）将清洗治具放入装有王水的烧杯中，烧杯放入装有热水的不锈钢盆中，浸泡30-50min，水温50℃±10℃；

b）将清洗治具放入热水盆中上下晃动，水温50℃-60℃，冲洗四次；

c）将清洗治具放入装有去离子热水的烧杯中，水温50℃-60℃，上下晃动导杆进行冲洗；

d）将治具放在静电风扇处进行静电吹风吹干，完成膜层剥离，得到中心为200MHz-240MHz的高基频晶片。