[发明专利]电子设备壳体及其制备方法以及电子设备

权利要求书

1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：

基材，所述基材包括铝和铝合金中的至少一种，且所述基材的上表面上具有凹槽，所述凹槽构成第一图案；

阳极氧化膜层，所述阳极氧化膜层覆盖所述基材的外表面；

镀膜图案，所述镀膜图案设置在所述阳极氧化膜层的上表面上；

光学膜层，所述光学膜层设置在所述阳极氧化膜层的上表面上，且覆盖所述镀膜图案。

2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括第一透明层和第二透明层中的至少一种，其中，所述第一透明层设置在所述镀膜图案和所述光学膜层之间，所述第二透明层设置在所述光学膜层的上表面上。

3.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第一图案和所述镀膜图案各自独立的包括渐变图案。

4.根据权利要求1或3所述的电子设备壳体，其特征在于，所述凹槽的深度不均匀设置。

5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述阳极氧化膜层满足以下条件的至少一种：

厚度为5-8微米；

至少一部分具有渐变颜色。

6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述镀膜图案满足以下条件的至少一种：

厚度为1-3微米；

形成材料包括铟、铝和铟锡合金中的至少之一。

7.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述光学膜层满足以下条件的至少一种：

厚度在200-400纳米之间；

厚度不均匀设置；

包括多个自子膜层，且所述多个子膜层的折射率不完全相同。

8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的电子设备壳体。

9.一种制备权利要求1-7中任一项所述的电子设备壳体的方法，其特征在于，包括：

在基材的上表面形成凹槽，所述凹槽构成第一图案；

对所述基材进行阳极氧化处理，以在所述基材的外表面形成阳极氧化膜层；

在所述阳极氧化膜层的上表面依次形成镀膜图案和光学膜层，所述光学膜层覆盖所述镀膜图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤的至少一种：

在所述镀膜图案和所述光学膜层之间形成第一透明层；

在所述光学膜层的上表面上形成第二透明层。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，还包括：

对所述基材的上表面进行抛光处理至所述基材的上表面的光泽度G值大于600。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述阳极氧化处理之后，且在形成所述镀膜图案之前，还包括对所述阳极氧化膜层进行染色。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述凹槽是通过数控车铣方法形成的。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述数控车铣是采用五轴精密数控车床和单晶钻石刀具进行的。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述镀膜图案包括：

采用真空蒸发或者磁控溅射方法在所述阳极氧化膜层的上表面形成镀膜层；

对所述镀膜层进行镭雕处理。

16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光学膜层是通过真空蒸发或者磁控溅射方法形成的。

17.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一透明层和所述第二透明层是通过喷涂方法形成的。