[发明专利]一种电磁屏蔽膜及其制作方法

权利要求书

1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括基底(11)以及呈网格结构的第一导电层(14)和第二导电层(15)，所述第一导电层(14)设置在所述基底(11)上，所述第二导电层(15)设置在所述第一导电层(14)上，所述第二导电层(15)的表面电阻小于所述第一导电层(14)的表面电阻，所述第一导电层(14)的厚度为1μm～7μm；所述第二导电层(15)的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，所述第一导电层(14)的网格线宽为1μm～4μm，所述第二导电层(15)的网格线宽小于或等于所述第一导电层(14)的网格线宽。

2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基底(11)包括透明基层(12)和绝缘层(13)，所述绝缘层(13)设置在所述透明基层(12)上，所述绝缘层(13)上设有凹槽(101)，所述第一导电层(14)设置在所述凹槽(101)内。

3.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层(14)采用纳米导电浆料通过刮涂的方式设置在所述凹槽(101)中。

4.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述透明基层(12)为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。

5.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二导电层(15)通过电沉积设置于所述第一导电层(14)的表面。

6.如权利要求1至5任意一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层(14)为银或铜；所述第二导电层(15)为镍或铜。

7.一种电磁屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述电磁屏蔽膜的制作方法用于制作权利要求1至6任意一项所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜的制作方法的步骤包括：

提供基底(11)，并在所述基底(11)上制作图案化的凹槽(101)；

将纳米导电浆料通过刮涂方式填充到所述基底(11)的凹槽(101)中，并烧结后形成第一导电层(14)，所述第一导电层(14)呈网格结构，所述第一导电层(14)的厚度为1μm～7μm，所述第一导电层(14)的网格线宽为1μm～4μm；以及

通过电沉积方式在所述第一导电层(14)上形成第二导电层(15)，其中所述第二导电层(15)的表面电阻小于所述第一导电层(14)的表面电阻，所述第二导电层(15)呈网格结构，所述第二导电层(15)的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，所述第二导电层(15)的网格线宽小于或等于所述第一导电层(14)的网格线宽。

8.如权利要求7所述的电磁屏蔽膜的制作方法，其特征在于，制作所述图案化的凹槽(101)的步骤包括：

将模具压印在绝缘层(13)上，剥离所述模具，形成所述凹槽(101)。