[发明专利]利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2 有效
| 申请号： | 201810762804.3 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987257B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;修向前;李悦文;张荣;陈鹏;刘斌;陶涛;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 卤化物 外延 si 衬底 生长 ga base sub | ||
1.一种利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法，其步骤包括：
1)清洗处理Si衬底；
2)金属Ga源置于反应器的温区I，Si衬底置于反应器的温区II，氮气氛围下温区I温度升至850-950℃，温区II温度升至300-500℃；
3)待温度稳定后，同时通入HCl和O2，开始生长Ga2O3缓冲层；
4)缓冲层生长完毕后，维持温区I温度不变、氧气气氛不变，温区II温度升高至500-1100℃，继续通入HCl和O2生长Ga2O3薄膜层；
5)生长结束后降温，取出样品。
2.根据权利要求1所述的利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法，其特征在于：步骤1)具体为Si衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，然后高纯氮气吹干。
3.根据权利要求2所述的利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法，其特征在于：步骤3)中生长时间为50-300秒，O2流量为50sccm,O2载气流量为500sccm，HCl流量为10sccm，HCl载气流量为200sccm，O2载气和HCl载气为氮气，总氮气流量为5000sccm。
4.根据权利要求3所述的利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法，其特征在于：步骤4)中生长时间为30-300min，O2流量为50sccm,O2载气流量为500sccm，HCl流量为15sccm，HCl载气流量为200sccm，O2载气和HCl载气为氮气，总氮气流量为10000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
