[发明专利]封装盖板及其制造方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201810762384.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN108598289B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 潘天峰;赵利豪;田彪;张建辉;吴解书;金韬;陈仕伦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沟道 金属片 显示面板 封装盖板 显示装置 第二面 正投影 玻璃基板 方向平行 交错排布 形变量 延伸 制造 | ||
本发明公开了一种封装盖板及其制造方法、显示面板及显示装置,属于显示技术领域。包括:金属片,所述金属片的第一面设置有至少一个第一沟道,所述金属片的第二面设置有至少一个第二沟道,所述第二面与所述第一面相对,所述第一沟道的延伸方向和所述第二沟道的延伸方向平行;其中,所述至少一个第一沟道在所述金属片上的正投影与所述至少一个第二沟道在所述金属片上的正投影交错排布,且所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度之和不小于所述金属片的厚度。本发明解决了相关技术中金属片与玻璃基板的形变量不同,导致显示面板发生弯曲,产生显示面板不良的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种封装盖板及其制造方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件作为一种电流型发光器件,因其具有低功耗、自发光、快速响应(响应时间约为1微秒)、广视角(视角可达175°以上)、厚度薄和可制作大尺寸的柔性显示面板等特点,越来越多地被应用于高性能显示领域当中。由于OLED器件中的有机发光材料与水氧接触后,会影响有机发光材料的发光效果,进而影响OLED器件的质量和使用寿命,因此对OLED器件的封装至关重要。
相关技术中,通常采用金属片通过面胶封装的方式对底发射型的OLED器件进行封装,封装后得到的OLED显示面板包括:衬底基板,依次设置在衬底基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、OLED器件,以及层叠设置在OLED器件远离衬底基板一侧的胶材层和金属片。其中,衬底基板一般采用透明的玻璃基板。
但是,由于金属片与玻璃基板的热膨胀系数不同,显示面板受热后,金属片与玻璃基板的形变量不同,会导致显示面板发生弯曲,产生显示面板不良。
发明内容
本发明实施例提供了一种封装盖板及其制造方法、显示面板及显示装置,可以解决相关技术中金属片与玻璃基板的形变量不同,导致显示面板发生弯曲,产生显示面板不良的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种封装盖板,包括:
金属片,所述金属片的第一面设置有至少一个第一沟道,所述金属片的第二面设置有至少一个第二沟道,所述第二面与所述第一面相对,所述第一沟道的延伸方向和所述第二沟道的延伸方向平行;
其中,所述至少一个第一沟道在所述金属片上的正投影与所述至少一个第二沟道在所述金属片上的正投影交错排布,且所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度之和不小于所述金属片的厚度。
可选的,每个所述第一沟道的深度不小于所述金属片的厚度的一半;
每个所述第二沟道的深度不小于所述金属片的厚度的一半。
可选的,所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度均相等。
可选的,所述金属片的厚度为150微米,所述第一沟道的深度为90至110微米,所述第二沟道的深度为90至110微米。
可选的,所述第一沟道和所述第二沟道的开口尺寸满足以下至少一者:
每个所述第一沟道的开口尺寸为150微米;
每个所述第二沟道的开口尺寸为150微米。
可选的,所述金属片的第一面设置有至少两个第一沟道,所述金属片的第二面设置有至少两个第二沟道,所述至少两个第一沟道和所述至少两个第二沟道满足以下至少一者:
相邻两个所述第一沟道的间距为200微米;
相邻两个所述第二沟道的间距为200微米。
可选的,所述第一沟道和所述第二沟道的纵截面满足以下至少一者:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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