[发明专利]封装盖板及其制造方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201810762384.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN108598289B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 潘天峰;赵利豪;田彪;张建辉;吴解书;金韬;陈仕伦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沟道 金属片 显示面板 封装盖板 显示装置 第二面 正投影 玻璃基板 方向平行 交错排布 形变量 延伸 制造 | ||
1.一种封装盖板,其特征在于,包括:
金属片,所述金属片的第一面设置有至少一个第一沟道,所述金属片的第二面设置有至少一个第二沟道,所述第二面与所述第一面相对,所述第一沟道的延伸方向和所述第二沟道的延伸方向平行;
其中,所述至少一个第一沟道在所述金属片上的正投影与所述至少一个第二沟道在所述金属片上的正投影交错排布,且所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度之和不小于所述金属片的厚度,所述第一沟道与所述第二沟道均为刻蚀沟道。
2.根据权利要求1所述的封装盖板,其特征在于,
每个所述第一沟道的深度不小于所述金属片的厚度的一半;
每个所述第二沟道的深度不小于所述金属片的厚度的一半。
3.根据权利要求2所述的封装盖板,其特征在于,所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度均相等。
4.根据权利要求3所述的封装盖板,其特征在于,所述金属片的厚度为150微米,所述第一沟道的深度为90至110微米,所述第二沟道的深度为90至110微米;
所述第一沟道和所述第二沟道的开口尺寸满足以下至少一者:
每个所述第一沟道的开口尺寸为150微米;
每个所述第二沟道的开口尺寸为150微米。
5.根据权利要求4所述的封装盖板,其特征在于,所述金属片的第一面设置有至少两个第一沟道,所述金属片的第二面设置有至少两个第二沟道,所述至少两个第一沟道和所述至少两个第二沟道满足以下至少一者:
相邻两个所述第一沟道的间距为200微米;
相邻两个所述第二沟道的间距为200微米。
6.根据权利要求1至5任一所述的封装盖板,其特征在于,所述第一沟道和所述第二沟道的纵截面满足以下至少一者:
所述第一沟道的纵截面呈矩形、梯形、三角形和半圆形中的一种,所述纵截面垂直于所述第一沟道的延伸方向;
所述第二沟道的纵截面呈矩形、梯形、三角形和半圆形中的一种,所述纵截面垂直于所述第二沟道的延伸方向。
7.根据权利要求1至5任一所述的封装盖板,其特征在于,所述封装盖板还包括注塑层和胶材层中的至少一种;
所述注塑层设置在所述第一面上;
所述胶材层设置在所述第二面上,且每个所述第二沟道中填充有胶材。
8.根据权利要求1至5任一所述的封装盖板,其特征在于,所述金属片呈矩形,所述金属片的长度大于所述金属片的宽度;
所述第一沟道的延伸方向平行于所述金属片的宽度方向,且所述第二沟道的延伸方向平行于所述金属片的宽度方向。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:显示基板和如权利要求1至8任一所述的封装盖板;
所述显示基板包括透明衬底基板以及依次设置在所述透明衬底基板上的薄膜晶体管TFT和发光器件,所述封装盖板设置在所述发光器件远离所述透明衬底基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,
所述第一沟道和所述第二沟道在指定方向上的设置范围与所述透明衬底基板的热膨胀系数正相关,所述指定方向垂直于所述第一沟道的延伸方向。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求9或10所述的显示面板。
12.一种封装盖板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一金属片;
通过刻蚀工艺在所述金属片的第一面形成至少一个第一沟道;
通过所述刻蚀工艺在所述金属片的第二面形成至少一个第二沟道,所述第二面与所述第一面相对,所述第一沟道的延伸方向和所述第二沟道的延伸方向平行;
其中,所述至少一个第一沟道在所述金属片上的正投影与所述至少一个第二沟道在所述金属片上的正投影交错排布,且所述第一沟道的深度与所述第二沟道的深度之和不小于所述金属片的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择