[发明专利]利用埋置绝缘层作为栅极介电质的高压晶体管

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

沟道区，位于半导体层中；

漏区与源区，位于该半导体层上，以横向连接该沟道区；

埋置绝缘层，包括位于该沟道区下方的一部分；以及

掺杂区，位于该埋置绝缘层下方并与栅极接触区连接，该埋置绝缘层的该部分及该掺杂区形成晶体管元件的栅极电极结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该埋置绝缘层的厚度为30纳米或更小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该半导体层的厚度为15纳米或更小。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该掺杂区由沟槽隔离结构沿晶体管长度方向界定。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该掺杂区嵌埋于衬底材料中并沿晶体管长度方向横向偏离沟槽隔离结构。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括全耗尽低功率晶体管元件，包括形成于该埋置绝缘层上方的栅极电极结构。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，该低功率晶体管元件的该栅极电极结构包括高k介电材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该漏区与源区作为抬升式漏区与源区形成于该半导体层上。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括层间介电材料，连续形成于该漏区与该源区之间。

10.一种晶体管元件，包括：

沟道区，位于漏区与源区之间；

埋置绝缘层的一部分，位于至少该沟道区下方；以及

掺杂半导体区，位于该埋置绝缘层的该部分下方并与控制端子连接，该埋置绝缘层的该部分及该掺杂半导体区形成栅极电极结构。

11.如权利要求10所述的晶体管元件，其中，该沟道区的物理厚度为15纳米或更小。

12.如权利要求10所述的晶体管元件，还包括层间介电材料，连续横向延伸于该漏区与该源区之间。

13.如权利要求12所述的晶体管元件，其中，该漏区与源区为抬升式半导体区。

14.如权利要求10所述的晶体管元件，其中，该掺杂半导体区由沟槽隔离结构沿晶体管长度方向横向界定。

15.如权利要求10所述的晶体管元件，其中，该掺杂半导体区沿晶体管长度方向横向偏离该漏区与源区。

16.如权利要求10所述的晶体管元件，其中，该埋置绝缘层的该部分的厚度为10纳米及更大。

17.一种方法，包括：

通过在埋置绝缘层的一部分下方掺杂半导体衬底的衬底材料的一部分形成晶体管元件的栅极电极结构；

在形成于该埋置绝缘层上的半导体层上形成漏区及源区；以及

在该漏区与该源区之间形成层间介电材料。

18.如权利要求17所述的方法，其中，掺杂该衬底材料的该部分包括形成该部分以由沟槽隔离结构沿晶体管长度方向横向界定。

19.如权利要求17所述的方法，其中，掺杂该衬底材料的该部分包括形成该部分以嵌埋于该衬底材料中并沿晶体管长度方向横向偏离沟槽隔离结构。

20.如权利要求17所述的方法，还包括形成至少一个另外的晶体管元件，其具有位于该半导体层中的漏区与源区并具有形成于该半导体层上且横向位于该漏区与源区之间的栅极电极结构。